超结MOSFET器件制造技术

本发明专利技术提供一种超结MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的缓冲层，位于衬底上；超结结构，位于缓冲层上，超结结构包括沿横向依次交替间隔分布的多个第一导电类型柱和第二导电类型柱，第二导电类型不同于第一导电类型；其中，若干第二导电类型柱局部和/或整体发生偏移，以使第一导电类型柱具有2个以上不同的横向尺寸；第二导电类型的体区，位于第二导电类型柱的上方；源极结构，位于体区内，源极结构包括相互接触的第一导电类型的源区和第二导电类型的欧姆接触区；栅极结构，与第一导电类型柱及源极结构相接触。本发明专利技术经改善的结构设计，可使得其电容下降斜率更缓，由此可以有效缓解器件在应用时的电磁干扰等问题。题。题。

【技术实现步骤摘要】
超结MOSFET器件


[0001]本专利技术涉及半导体器件领域，特别是涉及一种超结MOSFET器件。

技术介绍

[0002]超结MOSFET(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管)是基于电荷平衡理论提出的一种MOSFET器件，与传统的MOSFET器件相比，其在轻掺杂漂移区内引入P柱，形成了N柱与P柱交替的结构。在耐压状态下，P柱与N柱相互耗尽，因此漂移区近似于本征区，此时漂移区电场从传统MOSFET器件的三角形分布优化为近似梯形分布，提高了器件的击穿电压；由于超结MOSFET器件的P柱能够对N柱进行横向耗尽，因此N柱的掺杂浓度可以提高，在相同的BV下，超结MOSFET器件的Ron
∝
BV
1.32
，打破了硅极限，实现了更低的导通电阻。
[0003]在现有的超结MOSFET器件中，N柱的宽度是一定的，因此在各个元胞中P柱对N柱的耗尽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种超结MOSFET器件，其特征在于，所述超结MOSFET器件包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的缓冲层，位于所述衬底上；超结结构，位于所述缓冲层上，所述超结结构包括沿横向依次交替间隔分布的多个第一导电类型柱和第二导电类型柱，第二导电类型不同于第一导电类型；其中，若干所述第二导电类型柱局部和/或整体发生偏移，以使第一导电类型柱具有2个以上不同的横向尺寸；第二导电类型的体区，位于所述第二导电类型柱的上方；源极结构，位于所述体区内，所述源极结构包括相互接触的第一导电类型的源区和第二导电类型的欧姆接触区；栅极结构，与所述第一导电类型柱及所述源极结构相接触。2.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，若干所述第二导电类型柱的下部分沿同一方向进行相同或不同距离的位移。3.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，若干所述第二导电类型柱的上部分沿同一方向进行相同或不同距离的位移。4.根据权利要求1所述的超结MOSFET器件，其特征在于，若干所述第二导电类型柱整体沿同一方向进行相同或不同距离的...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖天，马荣耀，王代利，张鹏程，冷静，刘中旺，
申请(专利权)人：华润微电子重庆有限公司，
类型：发明
国别省市：