引脚折弯QFN封装结构及其制作方法技术

本发明专利技术提供一种引脚折弯QFN封装结构及其制作方法，所述封装结构包括引线框架、芯片和塑封层，引线框架包括基岛和位于基岛周侧的多个引脚，芯片设于基岛上，电性连接于引脚，塑封层包覆芯片、基岛和部分引脚，引脚向下折弯于塑封层下表面伸出，暴露于塑封层外侧的部分引脚末端折弯形成平直的外引脚段，外引脚段位于与塑封层下方；塑封层至少于其侧壁面设有金属屏蔽层。塑封层和外引脚段之间间隔一定距离，能够大幅降低镀覆在塑封层侧壁的金属屏蔽层与引脚之间的短接风险，并且外露的引脚能够调整长度，以提高封装结构与电路板的结合面积。以提高封装结构与电路板的结合面积。以提高封装结构与电路板的结合面积。

【技术实现步骤摘要】
引脚折弯QFN封装结构及其制作方法


[0001]本专利技术涉及封装
，具体地涉及一种引脚折弯QFN封装结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]QFN(Quad Flat No
‑
leads，方形扁平无引脚)封装结构由于引脚侧壁面与塑封层侧壁面齐平且暴露于塑封体侧壁面，从而导致在QFN封装结构外侧镀覆金属屏蔽层时，极易使金属屏蔽层与暴露的引脚之间产生短接，从而造成封装结构的失效，因此，目前为了在QFN封装结构上形成电磁屏蔽层，需要进行诸如镀前涂胶和研磨多余镀层等复杂的额外处理步骤，生产效率低下且可靠性差。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于提供一种引脚折弯QFN封装结构及其制作方法。
[0004]本专利技术提供一种引脚折弯QFN封装结构，包括引线框架、芯片和塑封层，所述引线框架包括基岛和位于所述基岛周侧的多个引脚，所述芯片设于所述基岛上，电性连接于所述引脚，所述塑封层包覆所述芯片、所述基岛和部分所述引脚，所述引脚向下折弯于所述塑封层下表面伸出，暴露于所述塑封层外侧的部分引脚末端折弯形成本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种引脚折弯QFN封装结构，包括引线框架、芯片和塑封层，所述引线框架包括基岛和位于所述基岛周侧的多个引脚，所述芯片设于所述基岛上，电性连接于所述引脚，其特征在于，所述塑封层包覆所述芯片、所述基岛和部分所述引脚，所述引脚向下折弯于所述塑封层下表面伸出，暴露于所述塑封层外侧的部分引脚末端折弯形成平直的外引脚段，所述外引脚段位于与所述塑封层下方；所述塑封层至少于其侧壁面设有金属屏蔽层。2.根据权利要求1所述的引脚折弯QFN封装结构，其特征在于，所述外引脚段为平直段，其上表面与所述塑封层下表面之间间隔一定距离。3.根据权利要求2所述的引脚折弯QFN封装结构，其特征在于，所述引脚自朝向所述基岛的一侧向外依次分为内引脚段、中间引脚段和外引脚段，所述芯片电性连接于所述内引脚段，所述外引脚段平直且其位于所述内引脚段和所述基岛下方，所述塑封层暴露所述外引脚段，且至少暴露部分与所述外引脚段相连的所述中间引脚段，所述中间引脚段于所述塑封层下表面伸出。4.根据权利要求3所述的引脚折弯QFN封装结构，其特征在于，所述内引脚段平直，且其下表面与所述基岛下表面平齐。5.根据权利要求4所述的引脚折弯QFN封装结构，其特征在于，所述中间引脚为直段，其与所述内引脚段之间的夹角为a，90
°
≤a＜180
°
。6.根据权利要求5所述的引脚折弯QFN封装结构，其特征在于，所述塑封层完全暴露所述中间引脚段，并暴露所述内引脚段和所述基岛的下表面。7.根据权利要求6所述的引脚折弯QFN封装结构，其特征在于，还包括接地引脚，所述接地引脚与所述内引脚段平齐，暴露于所述塑封层侧壁面，与所述金属屏蔽层电性连接。8.根据权利要求6所述的引脚折弯QFN封装结构，其特征在于，所述基岛下表面设有散热结构件。9.一种引脚折弯QFN封装结构制作方法，其特征在于，包括步骤：将引线框架引脚进行折弯处理，使其自朝向所述引线框架基岛的一侧向外依次形成内引脚段、中间引脚段和外引脚段，并使所述外引脚段位于所述内引脚段下方；...

【专利技术属性】
技术研发人员：高云，龚臻，刘怡，刘庭，濮虎，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：