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本发明提供一种超结MOSFET器件，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的缓冲层，位于衬底上；超结结构，位于缓冲层上，超结结构包括沿横向依次交替间隔分布的多个第一导电类型柱和第二导电类型柱，第二导电类型不同于第一导电类型；其中，若干第二导...
该专利属于华润微电子（重庆）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华润微电子（重庆）有限公司授权不得商用。

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