【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其制作方法
[0001]本专利技术涉及一种半导体结构，尤其涉及一种包括陶瓷基板的半导体结构及其制作方法。
技术介绍
[0002]随着5G通讯及电动车产业的发展，对于高频率、高功率半导体元件的需求也日益成长，这些高频率、高功率半导体元件可例如是高频晶体管、高功率场效晶体管、或高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)。高频率、高功率半导体元件一般采用半导体化合物，例如氮化镓、碳化硅等III
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V族半导体化合物，其具备高频率、耐高压、低导通电阻等特性。此外，由于为了提升散热效果，一般会以陶瓷基板作为上述半导体元件的承载基板。
[0003]然而，由于陶瓷基板通常是经由烧结制程而形成，因此其表面和内部会分布孔洞和孔隙，且部分孔洞和孔隙的直径可能会大于10μm。由于陶瓷基板会被用来承载其他的叠层，因此需要平坦且完整的表面。倘若表面存在孔洞，将会造成陶瓷基板上方的叠层产生破裂或缺陷。一般而言，可以在陶瓷基板的表面形成填充层，以消除直径较小(≦10μm)的孔洞，但是对于直径较大(>大于10μm)的孔洞，则仍无法通过沉积制程而消除。
[0004]因此，有必要提供一种改良的半导体结构及其制作方法，以解决现有技术中存在的缺失。
技术实现思路
[0005]有鉴于此，本专利技术提供一种半导体结构及其制作方法，以解决现有技术所面临的技术问题。
[0006]根据本专利技术一实施例，公开一种半导体结构，包括陶...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一陶瓷基底，包括一表面及位于所述表面的至少一孔洞；一第一键合层，设置于所述陶瓷基底的所述表面之上；一第二键合层，键合至所述第一键合层；至少一空腔，设置于所述至少一孔洞的上方，且被所述第一键合层及所述第二键合层围封；以及一半导体层，延伸跨越所述至少一空腔的上方，且沿着所述第二键合层的表面而设置。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一孔洞的深度和宽度的至少其中之一为10μm至30μm。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述至少一孔洞的深度大于所述第一键合层的厚度。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层的材质相异于所述陶瓷基底的材质。5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层及所述第二键合层的材质包括含硅氧化物。6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一键合层包括一第一填充层和一第二填充层，所述第二填充层填入所述至少一孔洞，且所述第二填充层设置于所述第一填充层之上。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于：所述第一键合层和所述第二键合层之间存在一接触面；以及所述至少一空腔的至少一边缘切齐所述接触面。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二键合层覆盖所述陶瓷基底的所述表面，且延伸跨越所述至少一孔洞及所述至少一空腔。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体层直接接触所述第二键合层，且顺向性沿着所述第二键合层的所述表面而设置。10.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，另包括一元件层，所述元件层设置于所述半导体层之上且包括至少一电极、一互连结构、及至少一介电层。11.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供一第一晶圆结构，其中所述第一晶圆结构包括：一陶瓷基底，包括一表面及位于所述表面的至少一孔洞；以及一第一键合层，设置于所述陶瓷基底的所述表面，且部分的所述第一键合层会填入所述至少一孔洞；提供一第二晶圆结构，其中所述第二晶圆结构包括：一半导体层，包括一表面；以及一第二键合层，设置于所述半导体层的所述表面；以及键合所述第一晶圆结构和所述第二晶圆结构，使所述第一键合层和所述第二键合层围封至少一空腔，其中所述至少一空腔重叠所述至少一孔洞。12.如权利要求11所述的半导体结构的制作方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜杨，林永丰，林琮翔，周钰杰，周政道，卢奕均，陈俊旭，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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