兰姆波谐振器及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种兰姆波谐振器及其制作方法，该兰姆波谐振器包括：一压电材料层；一第一指状电极，设置于所述压电材料层的一侧，该第一指状电极包括一第一主干部与复数个第一分支部；一第二指状电极，设置于所述压电材料层的所述一侧，该第二指状电极包括一第二主干部与复数个第二分支部，其中各所述第一分支部与各所述第二分支部平行且交错排列；至少两个浮置电极，设置于各所述第一分支部和各所述第二分支部之间；以及至少两个间隙，分别设置于各所述浮置电极的两端。各所述浮置电极的两端。各所述浮置电极的两端。

【技术实现步骤摘要】
兰姆波谐振器及其制作方法


[0001]本专利技术涉及一种谐振器，尤其涉及一种兰姆波谐振器及其制作方法。

技术介绍

[0002]在5G通信产业中，通信装置中必需要配置合适的滤波器，例如射频电子信号滤波器，才能使得电磁波信号中的特定信号得以被输入至通信装置中的信号处理器，或使得射频电子信号得以自通信装置输出。
[0003]一般而言，可以使用谐振器(resonator)作为电子信号的滤波器。举例而言，谐振器可以是兰姆波谐振器(Lamb wave resonator)，其中配置有压电层和指状电极，且指状电包括多个等间距分布的分支部。通过调整分支部的间距大小，可以改变谐振器的谐振频率，因此可以使得特定频率的电子信号得以通过谐振器，而其他频率的电子信号则会被谐振器滤除。
[0004]然而，由于谐振器的谐振频率和谐振器中的分支部的间距有关，若要对不同频率范围的电子信号进行滤波，往往需要重新设计相应的分支部的布局，并制作相应的光罩。如此，不但增加了制作的复杂度，也增加了整体的制作时间及成本。
[0005]因此，需要提供一种改进的兰姆波谐振器及其制作方法，以解决现有兰姆波谐振器中所面临的问题。

技术实现思路

[0006]有鉴于此，本专利技术提供了一种兰姆波谐振器及其制作方法，以解决现有技术所面临的技术问题。
[0007]根据本专利技术的一种实施例，提供一种兰姆波谐振器，包括：一压电材料层；一第一指状电极，设置于所述压电材料层的一侧，该第一指状电极包括一第一主干部与复数个第一分支部；一第二指状电极，设置于所述压电材料层的所述一侧，该第二指状电极包括一第二主干部与复数个第二分支部，其中各所述第一分支部与各所述第二分支部平行且交错排列；至少两个浮置电极，设置于各所述第一分支部和各所述第二分支部之间；以及至少两个间隙，分别设置于各所述浮置电极的两端。
[0008]根据本专利技术的另一实施例，提供一种兰姆波谐振器的制作方法，包括：提供一压电材料层；形成一第一指状电极于所述压电材料层的一侧，其中该第一指状电极包括复数个第一分支部；形成一介电层，覆盖所述压电材料层及所述复数个第一分支部；形成至少一第一开口于所述介电层中，该至少一第一开口重叠所述复数个第一分支部的部分区域；以及移除重叠于所述至少一第一开口的所述复数个第一分支部的所述部分区域，以形成至少两个第一浮置电极。
[0009]根据上述实施例，通过截断特定间距的分支部，可以降低兰姆波谐振器的谐振频率，例如是降低S0模式的谐振频率。因此，当要制作不同谐振频率的兰姆波谐振器时，不需重新设计兰姆波谐振器中的指状电极中的分支部的布局或间距，而可以仅利用某一特定的
指状电极的光罩图案，搭配后续的移除制程，以截断特定间距的分支部，进而达到调降兰姆波谐振器的谐振频率的效果。
附图说明
[0010]图1是本专利技术一实施例的兰姆波谐振器的俯视示意图；
[0011]图2是本专利技术一实施例沿着图1中A
‑
A
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0012]图3是本专利技术一实施例沿着图1中B
‑
B
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0013]图4是本专利技术一实施例沿着图1中C
‑
C
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0014]图5是本专利技术一变化实施例沿着图1中A
‑
A
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0015]图6是本专利技术一变化实施例沿着图1中B
‑
B
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0016]图7是本专利技术一实施例的兰姆波谐振器在分支部被截断前后的谐振频率变化；
[0017]图8是本专利技术一变化实施例的兰姆波谐振器的俯视示意图；
[0018]图9是本专利技术一变化实施例的兰姆波谐振器的俯视示意图；
[0019]图10是本专利技术一变化实施例沿图1中A
‑
A
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0020]图11是本专利技术一变化实施例沿图1中A
‑
A
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0021]图12是本专利技术一变化实施例沿图1中A
‑
A
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0022]图13是本专利技术一实施例的制作兰姆波谐振器的俯视示意图；
[0023]图14是本专利技术一实施例沿图13中A
‑
A
’
切线所绘示的剖面示意图；
[0024]图15是本专利技术一实施例在移除牺牲层后的剖面示意图；
[0025]图16是本专利技术一变化实施例在移除部分第二分支部后的剖面示意图。
[0026]附图标记说明：100、200、300、400、500、600、700、800、900：兰姆波谐振器102：框架部104：悬挂部105：锚定部106、152：压电材料层110：第一指状电极112：主干部114：第一分支部116：第一浮置电极118：第一绝缘区120：第二指状电极122：第二主干部124：第二分支部126：第二浮置电极128：第二绝缘区130、144、606：空腔132：牺牲层140：基底
142：介电基层146：晶种层150：底电极154：钝化层156、506：介电层158
‑
1：第一接触垫158
‑
2：第二接触垫160：间隔170：图案化光阻172：开孔504：导线602：第一半导体层608：绝缘层610：第二半导体层G1、G1
’
、G2、G2
’
：间隙L1：第一距离L2：第二距离L3：第三距离O1：第一开口O2：第二开口P1：第一间距P2：第二间距P3：第三间距P4：第四间距P5：第五间距T1、T2、T3：厚度W1、W1
’
、W2、W2
’
：宽度λ：波长Δf：频率差值
具体实施方式
[0027]下面结合附图和具体的实施方式对本专利技术作进一步说明。
[0028]本专利技术提供了数个不同的实施例，可用于实现本专利技术的不同特征。为简化说明起见，本专利技术也同时描述了特定构件与布置的范例。提供这些实施例的目的仅在于示意，而非予以任何限制。
[0029]本专利技术中针对「第一部件形成在第二部件上或上方」的叙述，其可以是指「第一部件与第二部件直接接触」，也可以是指「第一部件与第二部件之间另存在有其他部件」，致使第一部件与第二部件并不直接接触。
[0030]此外，本专利技术中的各种实施例可能使用重复的元件符号和/或文字注记。使用这些
重复的元件符号与文字注记是为了使叙述更简洁和明确，而非用以指示不同的实施例及/或配置之间的关联性。
[0031]另外，针对本专利技术中所提及的空间相关的叙述词汇，例如：「在...之下」、「在...之上」、「低」、「高」、「下方」、「上方」、「之下」、「之本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种兰姆波谐振器，其特征在于，包括：一压电材料层；一第一指状电极，设置于所述压电材料层的一侧，该第一指状电极包括一第一主干部与复数个第一分支部；一第二指状电极，设置于所述压电材料层的所述一侧，该第二指状电极包括一第二主干部与复数个第二分支部，其中各所述第一分支部与各所述第二分支部平行且交错排列；至少两个浮置电极，设置于各所述第一分支部和各所述第二分支部之间；以及至少两个间隙，分别设置于各所述浮置电极的两端。2.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，各所述第一分支部的宽度相同于各所述浮置电极的宽度。3.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述至少两个浮置电极包括至少两个第一浮置电极，各该第一浮置电极被设置于所述复数个第一分支部的其中相邻两者之间，且所述至少两个浮置电极的数目为偶数2n，其中n为正整数。4.如权利要求3所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述至少两个浮置电极还包括至少一第二浮置电极，且彼此相邻的各所述第一分支部和所述至少一第二浮置电极之间具有一间距，相邻的各所述第一分支部和各所述第二分支部之间具有一另一间距，所述间距和所述另一间距之间的比例为1:2n+1，其中n为正整数。5.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，还包括：一介电层，覆盖所述第一指状电极、所述第二指状电极及所述至少两个浮置电极；以及，至少两个开口，设置于所述介电层中，且对应于各所述间隙而设置。6.如权利要求5所述的兰姆波谐振器，其特征在于，还包括：至少一绝缘区，设置于各所述浮置电极的至少一端且重叠所述至少两个间隙的至少其中之一。7.如权利要求6所述的兰姆波谐振器，其特征在于，还包括：一钝化层，覆盖所述至少一绝缘区，其中部分所述钝化层被暴露于各所述开口。8.如权利要求6所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述至少一绝缘区为一空腔。9.如权利要求6所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述至少两个浮置电极包括至少两个第一浮置电极，且所述至少一绝缘区被设置于各所述第一浮置电极和所述第一主干部之间。10.如权利要求1所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述至少两个浮置电极包括：至少一第一浮置电极；以及，至少一第二浮置电极，设置于各所述第一分支部和各所述第二分支部之间，且相邻于所述至少一第一浮置电极。11.如权利要求10所述的兰姆波谐振器，其特征在于，各所述第二分支部的宽度相同于所述至少一第二浮置电极的宽度。12.如权利要求10所述的兰姆波谐振器，其特征在于，所述至少一第二浮置电极被设置于所述复数个第一分支部的其中相邻两者之间，且所述至少一第二浮置电极的数目为偶数2n，其中n为正整数。
13.如权利要求10所述的兰姆波谐振器，其特征在于，在所述至少一第一浮置电极和相邻于所述至少一第一浮置电极的所述至少一第二浮置电极之间未设置任何的所述第一分支部及所述第二分支...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晋瑜，陈延淋，李建辉，杨岱宜，陈永祥，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：