【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管及其制作方法
[0001]本专利技术涉及晶体管
，尤其是涉及一种高电子迁移率晶体管及其制作方法。
技术介绍
[0002]在半导体技术中，III
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V族的半导体化合物可用于形成各种集成电路装置，例如：高功率场效晶体管、高频晶体管或高电子迁移率晶体管(high electron mobility transistor,HEMT)。HEMT是属于具有二维电子气(two dimensional electron gas,2DEG)的一种晶体管，其2DEG会邻近于能隙不同的两种材料之间的接合面(即，异质接合面)。由于HEMT并非使用掺杂区域作为晶体管的载子通道，而是使用2DEG作为晶体管的载子通道，因此相较于现有的金氧半场效晶体管(MOSFET)，HEMT具有多种吸引人的特性，例如：高电子迁移率及以高频率传输信号的能力。对于现有的HEMT，可以包括依序堆栈的化合物半导体通道层、化合物半导体阻障层、化合物半导体盖层及闸极电极。利用闸极电极向化合物半导体盖层施加偏压，可以调控位于化合物半导体盖层下方的化合物半导体通道层中的二维电子气浓度，进而调控HEMT的开关。此外，现有的HEMT中另会设置场板，以通过场板调控电场分布，进而提升HEMT的崩溃电压。
[0003]然而，即便在HEMT中设置场板确实可有效提升HEMT的耐压能力，但此做法通常会增加额外电容，进而使得HEMT产生显著的切换延迟(turn
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on/off delay time)，因而降低HEMT的电性表现。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：一半导体通道层及一半导体阻障层，设置于一基底上；一闸极场板，设置于所述半导体阻障层上；一源极电极，设置于所述闸极场板的一侧；至少一第一场板，设置于所述闸极场板的另一侧，且侧向分离于所述闸极场板；以及一第二场板，覆盖所述闸极场板及所述至少一第一场板，且电连接至所述源极电极，其中，当以俯视观察时，所述第二场板的面积大于所述闸极场板的面积与所述至少一第一场板的面积之和。2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述至少一第一场板为电浮置或电连接至所述源极电极。3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：一闸极电极，设置于所述半导体阻障层和所述第二场板之间，且电连接至所述闸极场板。4.如权利要求3所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：一半导体盖层，设置于所述半导体阻障层及所述闸极电极之间，且电连接至所述闸极电极。5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：一钝化层，设置于所述半导体阻障层之上，其中所述至少一第一场板顺向性覆盖所述钝化层。6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：一间隙，设置于所述闸极场板及所述至少一第一场板之间；以及一第一层间介电层，填满所述间隙。7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述第一层间介电层的表面包括至少一凹陷区和至少一抬升区，且所述第二场板顺向性覆盖所述至少一凹陷区及所述至少一抬升区。8.如权利要求7所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述至少一凹陷区设置于所述间隙的正上方，所述至少一抬升区设置于所述至少一第一场板的正上方。9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：一第三场板，覆盖所述至少一第一场板及所述第二场板，且电连接至所述源极电极，其中，当以俯视观察时，所述第三场板的面积大于所述第二场板的面积。10.如权利要求9所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，还包括：一第四场板，覆盖所述至少一第一场板、所述第二场板及所述第三场板，且电连接至所述源极电极，其中，当以俯视观察时，所述第四场板的面积大于所述第三场板的面积。11.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其特征在于，所述至少一第一场板包括两个第一场板，且所述两个第一场板彼此之间互相分离。12.一种高电子迁移率晶体管，其特征在于，包括：一半导体通道层及一半导体阻障层，设置于一基底上；一闸极...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜杨，林鑫成，黄嘉庆，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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