半导体装置的形成方法制造方法及图纸

提供形成半导体装置的方法，包括：在基板之中形成沟槽，其中沟槽包括缺陷，且缺陷突出于沟槽的底部；在基板之上形成可流动材料以至少部分覆盖缺陷；执行刻蚀工艺以减低缺陷的高度；以及去除可流动材料。以及去除可流动材料。以及去除可流动材料。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的形成方法


[0001]本专利技术实施例有关于一种半导体装置的形成方法，并且特别关于一种沟槽隔离结构的形成方法。

技术介绍

[0002]半导体装置的隔离结构一般用来将主动区内的半导体器件例如电晶体、电阻器和电容器与位于相同的半导体基底上的相邻主动区内的半导体器件分隔开来。
[0003]目前常用的隔离结构包含沟槽隔离结构，沟槽依据隔离区所需的图案形成于基板内，接着在沟槽中填入隔离介电质，以形成沟槽隔离结构，以将半导体装置相邻的主动区互相电性隔离。然而，存在于沟槽中的缺陷可能引起基板和沟槽隔离区上的主动区之间的电穿击(electrical breakdown)，其在高压操作中特别危险。因此，需要一种减少沟槽缺陷的方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术一些实施例提供一种形成半导体装置的方法，包括：在基板之中形成沟槽，其中沟槽包括缺陷，且缺陷突出于沟槽的底部；在基板之上形成可流动材料以至少部分覆盖缺陷；执行刻蚀工艺以减低缺陷的高度；以及去除可流动材料。
[0005]本专利技术提供形成半导体装置的方法，在沟槽缺陷上形成可流动材料，并借由可流动材料与缺陷两者之间不同的刻蚀速率比例以减低缺陷的高度，进而改善装置的故障率。
附图说明
[0006]以下将配合所附图示详述本专利技术的各方面。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小单元的尺寸，以清楚地表现出本专利技术的特征。
[0007]图1A
‑
图1C是本专利技术根据一些实施例，绘示形成具有针状缺陷的沟槽的剖面图。
[0008]图2A
‑
图2H图是本专利技术根据一些实施例，绘示半导体装置在减低沟槽针状缺陷的工艺中的剖面图。
[0009]图3A
‑
图3C图是本专利技术根据另一些实施例，绘示半导体装置在减低沟槽针状缺陷的工艺中的剖面图。
[0010]图4A
‑
图4D是本专利技术根据又一些实施例，绘示半导体装置在减低沟槽针状缺陷的工艺中的剖面图。
[0011]图5A
‑
图5D是本专利技术根据一些实施例，绘示半导体装置在减低沟槽针状缺陷的工艺中的剖面图。
[0012]图6A
‑
图6C是本专利技术根据另一些实施例，绘示半导体装置在减低沟槽针状缺陷的工艺中的剖面图。
[0013]图7A
‑
图7D图是本专利技术根据又一些实施例，绘示半导体装置在减低沟槽针状缺陷
的工艺中的剖面图。
[0014]100:基板
[0015]102:垫层/垫氧化物
[0016]104:垫层/垫氮化物
[0017]106:光阻层
[0018]108:针状缺陷
[0019]108A:缺陷
[0020]108B:缺陷
[0021]108C:缺陷
[0022]108C
’
:缺陷
[0023]108D:缺陷
[0024]108E:缺陷
[0025]108F:缺陷
[0026]108F
’
:缺陷
[0027]110:沟槽
[0028]200:衬氧化物层
[0029]210:介电材料
[0030]302:可流动材料
[0031]303:遮罩层
[0032]D1:厚度
[0033]D2:厚度
[0034]D3:厚度
[0035]D4:厚度
[0036]H1:高度
[0037]H2:高度
[0038]H3:高度
[0039]H4:高度
[0040]H5:高度
[0041]H6:高度
[0042]H7:高度
[0043]H8:高度
具体实施方式
[0044]以下针对本专利技术的显示装置作详细说明。应了解的是，以下的叙述提供许多不同的实施例或例子，用以实施本专利技术的不同样态。以下所述特定的器件及排列方式仅为简单描述本专利技术。当然，这些仅用以举例而非本专利技术的限定。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关连性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触的情形。或者，也可能间隔有一或更多其它材料层的
情形，在此情形中，第一材料层与第二材料层之间可能不直接接触。
[0045]此外，本专利技术实施例可能在许多范例中重复器件符号及/或字母。这些重复是为了简化和清楚的目的，其本身并非代表所讨论各种实施例及/或配置之间有特定的关系。以下描述实施例的一些变化。在不同图式和说明的实施例中，相似的器件符号被用来标示相似的器件。
[0046]在图式中，实施例的形状或是厚度可扩大，并以简化或是方便标示。再者，图式中各器件的部分将以分别描述说明，值得注意的是，图中未绘示或描述的器件，为本领域技术人员所知的形式，此外，特定的实施例仅为揭示本专利技术使用的特定方式，其并非用以限定本专利技术。
[0047]此外，其中可能用到与空间相对用词，例如“在......下方”、“下方”、“较低的”、“在......上方”、“上方”等类似用词，是为了便于描述图式中一个(些)部件或特征与另一个(些)部件或特征之间的关系。空间相对用词用以包括使用中或操作中的装置的不同方位，以及图式中所描述的方位。当装置被转向不同方位时(旋转90度或其他方位)，其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。
[0048]此处所使用的用语“约”、“近似”等类似用语描述数字或数字范围时，该用语意欲涵盖的数值是在合理范围内包含所描述的数字，例如在所描述的数字的+/
‑
10％之内，或本专利技术所属
中具有通常知识者理解的其他数值。例如，用语“约5nm”涵盖从4.5nm至5.5nm的尺寸范围。
[0049]再者，说明书与权利要求中所使用的序数例如“第一”、“第二”、“第三”等的用词，以修饰权利要求的器件，其本身并不包含及代表该请求器件有任何之前的序数，也不代表某一请求器件与另一请求器件的顺序、或是制造方法上的顺序，该些序数的使用仅用来使具有某命名的一请求器件得以和另一具有相同命名的请求器件能作出清楚区分。
[0050]本领域技术人员将理解说明书中的用语“大抵(substantially)”，例如“大抵相同”。在一些实施例中，“大抵”可能被去除。在适用的情况下，术语“大抵”也可以包括具有“全部”、“完全”等的实施例。在适用的情况下，术语“大抵”也可涉及90％或更高，例如95％或更高，详细而言，99％或更高，包括100％。
[0051]在形成半导体装置的沟槽结构期间，可能同时形成由沟槽底部向上突出的缺陷。向上突出的缺陷大大减小了半导体装置的主动区与沟槽隔离区之间的距离，其会导致主动区与沟槽隔离区之间的电穿本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种形成半导体装置的方法，其特征在于，包括：在一基板之中形成一沟槽，其中该沟槽包括一缺陷，且该缺陷突出于该沟槽的底部；在该基板之上形成一可流动材料以至少部分覆盖该缺陷；执行一刻蚀工艺以减低该缺陷的高度；以及去除该可流动材料。2.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，形成该沟槽的步骤包括：在该基板之上形成一垫层；以及刻蚀该垫层以及该基板以形成该沟槽。3.如权利要求2所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该垫层包括氧化物、氮化物或其组合。4.如权利要求2所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，位于该沟槽之中的该可流动材料的一顶表面低于该垫层的一顶表面。5.如权利要求2所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，位于该沟槽之中的该可流动材料的一顶表面与该垫层的一顶表面齐平。6.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该缺陷包括针状缺陷、柱状缺陷、圆锥体缺陷或其组合。7.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，在该刻蚀工艺之后，该缺陷的高度为100纳米至800纳米。8.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该可流动材料包括：光阻、抗反射涂层ARC、旋涂式玻璃SOG或其组合。9.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，更包括：在执行该刻蚀工艺之前，在该可流动材料之上形成一遮罩层；以及图案化该遮罩层，其中图案化的该遮罩层部分地覆盖该沟槽侧壁上的该可流动材料。10.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，该刻蚀工艺包括干式刻蚀、湿式刻蚀或其组合。11.如权利要求1所述的形成半导体装置的方法，其特征在于，在该沟槽之中的该可流动材料的厚度大于在该沟槽之外的该...

【专利技术属性】
技术研发人员：李一平，林光明，廖志成，郭雅惠，常佩妤，张雅婷，李琮雄，吴政宪，甘铠铨，张宇瑞，刘又瑄，
申请(专利权)人：世界先进积体电路股份有限公司，
类型：发明
国别省市：