本发明提供了一种适用于ICP‑OES的CuAl合金制样方法，所述CuAl合金制样方法包括如下步骤：混合CuAl合金靶材与混合酸，保温8‑10min，得到样品溶液；所述混合酸为体积比1:(1.8‑2.2)组成的硝酸与氢氟酸，所述硝酸的浓度...

本发明提供了一种一体型大尺寸平面靶材的制备方法，所述制备方法先将两块厚度较小的第一靶坯与第二靶坯组合装配，所述第一靶坯与所述第二靶坯的直径相等且均为500‑600mm，再依次进行脱气处理、热等静压处理、电子束焊接以及机加工，得到一体型大...

本发明提供了一种用于制备晶圆的保护环及其加工方法，所述保护环的外周面和一侧圆环面为图案铣削区，所述图案铣削区内遍布吸附槽，所述图案铣削区的粗糙度大于图案铣削区以外的粗糙度。本发明通过在保护环上设置吸附槽，能够解决保护环吸附能力差的问题，...

本发明提供一种钨靶材组件的焊接结构及其焊接方法，所述焊接结构包括铝盖板、钨靶材、铝中间层和铜背板，铜背板设置有第一放置槽，所述铝中间层设置于第一放置槽中，为第一组合件，铝盖板设置有第二放置槽，所述钨靶材设置于第二放置槽中，为第二组合件，...

本发明提供了一种溅射靶材斜面花纹的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：(1)将靶材溅射面和靶材侧面的直角连接边铣削成斜面；(2)在步骤(1)所得斜面上进行花纹铣削。本发明防止了反剥落现象的同时避免了产品在加工过程中发生变形，减缓了刀具磨...

本发明提供了一种修复高纯铝靶材表面缺陷的加工方法，所述加工方法包括以下步骤：对高纯铝靶材表面依次进行粗加工以及精加工；所述精加工采用的刀具为金刚石刀片；所述精加工的次数为1～3次；所述加工方法采用金刚石刀具，并通过进一步控制加工过程中的...

本发明提供一种半导体环件凸结体的焊接方法，所述焊接方法包括如下步骤：(1)将凸结体与环件本体配合设置，在焊缝中进行点焊，得到预焊后环件；(2)步骤(1)所述预焊后环件经电子束焊接，得到焊接后环件；所述焊接方法在环件送入电子束焊接腔体前，...

本实用新型提供了一种具有环形水道结构的背板，所述具有环形水道结构的背板设置有与冷却水接触的区域；所述区域内设置有同心设置的至少2条环形水道；所述区域内设置有至少2条旋臂形水道，所述至少2条旋臂形水道沿所述具有环形水道结构的背板的中心轴等...

本发明涉及一种镍铬合金溅射靶材及其热等静压制备方法，所述热等静压制备方法包括：先准备Cr含量为30

本发明涉及一种镍铬合金溅射靶材及其热压制备方法，包括如下步骤：(1)准备Cr含量为30～80wt％的镍铬合金粉，装入模具并封口；(2)将封口后的模具进行热压烧结处理；(3)将得到的镍铬合金烧结体进行机加工，得到镍铬合金溅射靶材。本发明所...

本发明提供一种磁记录用钛铬合金溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括：将铬粉以及钛粉在保护气体下进行混合，得到混合粉末；将混合后的粉末装入模具进行脱气处理，脱气后进行热等静压处理，得到所述钛铬合金溅射靶材。所述制备方法制备出的铬钛靶材致密...

本发明提供了一种用于半导体蒸发镀膜用蒸发料及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)热处理金属圆锭，锻伸，得到长方形金属锭；(2)机加工步骤(1)所得长方形金属锭，得到条状金属锭；(3)热处理步骤(2)所得条状金属锭，冷却后进行轧制...

本实用新型提供了一种防变形靶材，所述防变形靶材的非溅射面上设置有水冷却槽；所述水冷却槽的底面平面度≤0.05mm；所述水冷却槽的底面粗糙度≤0.8μm；所述水冷却槽的中央设置有凸起；所述凸起的中央设置有螺纹凹槽。本实用新型提供的防变形靶...

本实用新型涉及一种一体式冷却盘，所述一体式冷却盘从上至下依次设置有气冷层和水冷层；所述气冷层中设置有气道；所述水冷层中设置有水道；所述气冷层的上表面设置有气孔。本实用新型提供的一体式冷却盘，通过对冷却水盘结构的设计，增加气冷层结构，增加...

本发明提供了一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：保护气氛下球磨混合铬粉与硅粉，得到混合料，混合料中硅粉的质量分数不超过16wt％；所得混合料装模压实，然后进行抽真空处理；完成所述抽真空处理后，进行第一热处理，第一热...

本发明提供了一种无折角结构的包套、其加工方法和用途，所述的加工方法包括：将板材利用卷圆机卷绕出包套圈，在包套圈的两端焊接包套盖板密封包套圈，制备得到所述的无折角结构的包套。本发明通过利用卷圆机卷绕出包套圈，卷绕出的包套圈具有圆度好和易于...

本发明提供一种空心管壁厚的控制方法，所述控制方法包括：检测空心管的外表面和内表面，发现外表面的外凹点和内表面的内凹点，在对应内凹点的空心管外表面处进行下压，对空心管的外表面进行车削，所述控制方法保证空心管壁厚的均匀性，方法简单，操作便捷...

本发明提供了一种适用于ICP‑OES的CrSi合金制样方法，所述CrSi合金制样方法包括如下步骤：混合CrSi合金靶材与混合酸，再加热至90‑100℃保温，加热与保温的总时间为40‑60min，得到样品溶液；所述混合酸为体积比(1‑3)...

本发明提供一种夹持环及其内部螺孔的加工方法和用途，所述夹持环包括环形底盘和环绕环形底盘外围的外圆周体，环形底盘中部设置有内圆周体，内圆周体设置有均匀分布的固定面，固定面上设置有呈三角形设置的螺孔，所述夹持环应用于半导体的物理气相沉积镀膜...

本发明提供了一种高纯铝或铝合金靶材及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：将铝或铝合金靶材坯料依次进行锻伸、一次热处理、锻造、二次热处理以及轧制，得到高纯铝或铝合金靶材；所述一次热处理的温度为345～355℃；所述二次热处理的温度...