【技术实现步骤摘要】
一种铬硅合金溅射靶材的制备方法
本专利技术属于半导体
，涉及一种靶材的制备方法，尤其涉及一种铬硅合金溅射靶材的制备方法。
技术介绍
物理气相沉积指的是在真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使材料源蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，然后通过电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应产物沉积在工件上形成某种特殊功能的薄膜。PVD技术半导体芯片制造业、太阳能行业、LCD制造业等多种行业的核心技术，主要方法包括真空镀膜、电弧等离子体镀、离子镀膜、分子束外延和溅射镀膜等。溅射是制备镀膜材料的主要方法之一，它利用离子源产生的离子，在真空中经过加速聚集，而形成高速度能的离子束流，轰击固体表面，离子和固体表面原子发生动能交换，使固体表面的原子离开固体并沉积在基底表面，被轰击的固体是制备溅射法沉积薄膜的原材料，称之为溅射靶材。溅射靶材的性能优劣直接影响薄膜性能的好坏，而靶材的性能主要由靶材生产工艺决定。目前靶材生产方法主要包括熔炼法和粉末冶金法，熔炼法能够生产多数金属靶材，但少数靶材由于合金成分熔点差距...
【技术保护点】
1.一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：/n(1)保护气氛下球磨混合铬粉与硅粉，得到混合料，混合料中硅粉的质量分数不超过16wt％；/n(2)步骤(1)所得混合料装模压实，然后进行抽真空处理；/n(3)完成步骤(2)所述抽真空处理后，进行第一热处理，第一热处理过程中压力不超过6MPa；/n(4)依次进行第二热处理、第一加压、第二加压与保温保压；/n(5)保温保压结束后进行保护性气体置换，至压力为-0.06MPag至-0.08MPag，然后进行随炉冷却；/n(6)机加工至所需尺寸，完成铬硅合金溅射靶材的制备。/n
【技术特征摘要】
1.一种铬硅合金溅射靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：
(1)保护气氛下球磨混合铬粉与硅粉，得到混合料，混合料中硅粉的质量分数不超过16wt％；
(2)步骤(1)所得混合料装模压实，然后进行抽真空处理；
(3)完成步骤(2)所述抽真空处理后，进行第一热处理，第一热处理过程中压力不超过6MPa；
(4)依次进行第二热处理、第一加压、第二加压与保温保压；
(5)保温保压结束后进行保护性气体置换，至压力为-0.06MPag至-0.08MPag，然后进行随炉冷却；
(6)机加工至所需尺寸，完成铬硅合金溅射靶材的制备。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述铬粉的粒径<75μm，优选为30-60μm；
优选地，所述铬粉的纯度≥5N。
3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述硅粉的粒径<3μm；
优选地，所述硅粉的纯度≥5N。
4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述保护气氛所用气体包括氮气和/或惰性气体；
优选地，所述惰性气体包括氦气、氖气或氩气中的任意一种或至少两种的组合；
优选地，步骤(1)所述球磨混合的研磨球包括硅球和/或铬球；
优选地，步骤(1)所述球磨混合的料球比为(8-12):1；
优选地，步骤(1)所述球磨混合的时间≥36h。
5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述装模压实后，平面度≤0.5mm；
优选地，步骤(2)所述抽真空处理的终点为真空度降至100Pa以下。
6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述第一热处理的温度为1100-1200℃；
优选地，步骤(3)所述第一热处理的升温速率为5-10℃/min；
优选地，步骤(3)所述第一热处理的保温时间为80-100min。
7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(4)所述第二热处理的温度为1280-1350℃；
优选...
【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，杨慧珍，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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