一种高纯铝或铝合金靶材及其制备方法和用途技术

本发明专利技术提供了一种高纯铝或铝合金靶材及其制备方法和用途，所述制备方法包括以下步骤：将铝或铝合金靶材坯料依次进行锻伸、一次热处理、锻造、二次热处理以及轧制，得到高纯铝或铝合金靶材；所述一次热处理的温度为345～355℃；所述二次热处理的温度为290～310℃；所述制备方法通过优化热处理工艺，显著细化了晶粒尺寸，解决了大尺寸靶材的晶粒均匀性和使用性能问题，工艺流程简单，成本低，有利于规模化生产，具有较好的工业应用前景。

【技术实现步骤摘要】
一种高纯铝或铝合金靶材及其制备方法和用途
本专利技术属于靶材制备
，具体涉及一种高纯铝或铝合金靶材及其制备方法和用途。
技术介绍
物理气相沉积(PVD)是半导体芯片和TFT-LCD生产过程中最关键的工艺之一，PVD用溅射金属靶材是半导体芯片生产及TFT-LCD制备加工过程中最重要的原材料之一，溅射金属靶材中用量最大的是高纯铝和高纯净铝合金靶材。根据溅射工艺原理，靶材的晶粒越细，成分组织越均匀，靶材的表面粗糙度越小，通过物理气相沉积方法在硅片上形成的薄膜质量越好，因此细化靶材晶粒的大小尤为重要。通常高纯铝靶材晶粒尺寸要小于200μm。但是，由纯金属的凝固特性可知，纯度越高、洁净度越高的金属，凝固过程中异质形核的几率越小，凝固形成的晶粒越容易长大，且易于沿优先生长面以胞状晶生长，仅靠控制凝固过程细化得到的高纯铝晶粒尺寸最小仅能达到2mm直径。因此，寻求一种新的工艺方法来细化晶粒尺寸成为当前迫切需要解决的问题。CN103834924A公开了一种制备超高纯铝及超高纯铝合金溅射靶材的方法，该方法包括以下步骤：将材料在200℃～500℃条件下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高纯铝或铝合金靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：/n将铝或铝合金靶材坯料依次进行锻伸、一次热处理、锻造、二次热处理以及轧制，得到高纯铝或铝合金靶材；/n所述一次热处理的温度为345～355℃；/n所述二次热处理的温度为290～310℃。/n

【技术特征摘要】
1.一种高纯铝或铝合金靶材的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：
将铝或铝合金靶材坯料依次进行锻伸、一次热处理、锻造、二次热处理以及轧制，得到高纯铝或铝合金靶材；
所述一次热处理的温度为345～355℃；
所述二次热处理的温度为290～310℃。


2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铝或铝合金靶材坯料进行锻伸前先进行切断；
优选地，所述切断后的铝或铝合金靶材坯料呈长方体；
优选地，所述长方体的尺寸为(245～250mm)×(245～250mm)×(290～295mm)。


3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述锻伸前进行预热；
优选地，所述预热的温度为140～160℃；
优选地，所述预热的时间为10～15min；
优选地，所述锻伸后的铝或铝合金靶材坯料的尺寸为(298～302mm)×(298～302mm)×(198～202mm)。


4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述一次热处理的时间为50～70min，优选为58～62min；
优选地，所述二次热处理的时间为50～70min，优选为58～62min。


5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，所述锻造前进行预热；
优选地，所述预热的温度为140～160℃；
优选地，所述预热的时间为10～15min；
优选地，所述锻造后的铝或铝合金靶材坯料的尺寸为(765～770mm)×(188～192mm)×(120～125mm)。


6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述轧制的道次至少为3次；
优选地，所述轧制后的温度为室温；
优选...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，边逸军，潘杰，王学泽，李小萍，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33