本发明提供一种具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法，方法步骤如下：利用半导体工艺形成在晶片中具有P接触区和N接触区的PN结；在晶片正面生长二氧化硅介质后，去除部分二氧化硅介质，形成暴露出P接触区的第一窗口；淀积覆盖在二氧化硅介质上和...

本实用新型提供一种紧凑型智能功率驱动模块，包括：框架；多组驱动信号引线模块，形成在框架的一内侧；多个载片台，形成在框架的另一内侧，与多组驱动信号引线模块相对设置；多组功能信号引线模块，分别由相邻的两个载片台为一组弯曲后形成在框架上；绝缘...

本发明提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；位于衬底正面上的外延层；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上；与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层；位于外延层中且两端分别与衬底和第二绝缘层连接的P+隔离...

本发明提供一种双极电路的制造方法，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的第一介质层中形成...

本发明提供一种肖特基二极管及制作方法，本发明所述肖特基二极管及制作方法通过设置第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与所述第一掺杂区一...

本发明揭示了一种封装工艺，该封装工艺包括：将蓝膜粘贴在划片机的圆片环上；将绝缘胶膜粘贴在所述蓝膜上；将所述绝缘胶膜切割为若干绝缘胶膜块；将所述绝缘胶膜块从蓝膜上分离；将分离的所述绝缘胶膜块装在一载体上；将一芯片装载到所述载体上的所述绝缘...

本实用新型提供一种耗尽型MOSFET，其中耗尽型MOSFET包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱中部的第一掺杂类型的离子注入沟道。本实...

本实用新型公开了一种半导体塑封上料治具，包括支撑架、两移动板以及两移动板移动复位机构，所述支撑架上设有一个开口，所述两移动板设置于所述支撑架上且分别位于所述开口的两侧，所述两移动板相对侧的上表面对应设有一排用于放置引线框架的引线的引线槽...

本实用新型提供的MEMS封装结构，通过采用基板和格栅板和盖板，将若干芯片以矩形阵列布置于所述基板上，所述格栅板上设有与所述芯片一一对应的通孔，所述盖板上对应芯片的位置分别设置气孔，当基板、格栅板和盖板依次叠加后，可以形成一个个用于容纳所...

本实用新型公开了提供一种耗尽型VDMOS，其中耗尽型VDMOS包括：一第一掺杂类型的掺杂衬底；形成于所述衬底一面上的第一掺杂类型的外延层；形成于所述外延层内的至少两个第二掺杂类型的深阱；以及形成于每个所述深阱两侧的两个第一掺杂类型的离子...

本实用新型公开了一种注入装置、冲压与注入联动装置及芯片封装系统，包括驱动基座、上座凸模、下座凹模以及如上的注入装置，上座凸模与注入装置间隔固定设置于驱动基座的下方，下座凹模位于上座凸模与注入装置的下方，下座凹模上对应上座凸模与注入装置的...

本实用新型公开了一种IC塑封体耐压测试夹具，包括固定底座、压板以及导柱，所述固定底座上设有至少一条用于放置整条IC塑封体的承载体，所述承载体内间隔设置有若干与耐压测试仪的负极电连接的第一金属垫片，所述固定底座上还设置有与所述耐压测试仪的...

本发明提供一种场截止缓冲层，形成在IGBT器件中，包括：N型衬底；以及P型埋层，形成在N型衬底中。本发明还提供一种具有场截止缓冲层的IGBT器件，包括：场截止缓冲层，场截止缓冲层包括N型衬底和形成在N型衬底中的P型埋层；N-外延层，形成...

本实用新型涉及一种激光打标耐压测试一体机，用于对塑封模块进行激光打标和耐压测试，该激光打标耐压测试一体机包括固定在机架上的供料装置、激光打标主机、耐压测试系统、收纳装置和传动装置，供料装置用于将塑封模块供给至激光打标主机上游的供料位置，...

本发明揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述阻挡层的上表面的相接...

本发明提供一种外延标记制作方法，包括：在衬底上依次生长第一氧化层和第一光刻胶，在第一光刻胶中形成埋层窗口和埋层光刻标记；去除埋层窗口中的第一氧化层，在衬底上形成埋层区域并进行离子注入；去除第一光刻胶并进行退火，在埋层区域上形成第一消耗层...

本发明提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本发明还提供一种外延缺陷分析结构的制造方法。本发明又提供一种外...

本发明公开了一种保证全包封产品塑封体厚度的夹具及方法，用于对框架载片台进行整形，框架载片台由包括芯片台、底部和引线，底部和引线分别设置于所述芯片台的两侧，所述夹具包括主体结构、半轴压力柱头、以及减震限位机构，所述减震限位机构和所述半轴压...

本发明提供一种紧凑型智能功率驱动模块的封装方法，包括：提供框架；在框架相对内侧中分别设有多组驱动信号引线脚和多个载片台；分别由相邻的两个载片台为一组弯曲后形成一组功能信号引线模块；在每组驱动信号引线模块上设绝缘层；在每个绝缘层上安装高压...

本发明提供一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件及制造方法，所述制造方法包括，进行离子注入和退火工艺，以在所述栅极之间的有源区中形成P型阱区，并且在进行离子注入和退火工艺的步骤之间，进行氧化工艺；以及进行电子辐照工艺，以在相邻的两个P型阱...