离子注入机的监控装置和离子注入机系统，该监控装置包括操作面板和示波器，其中，操作面板包括输入部和输出部；输入部包括信号输入端和波形控制输入端；输出部包括第一频道信号输出端和第二频道信号输出端；示波器包括连接第一频道信号输出端的第一信道和...

本发明提供了二极管及其制造方法。一种二极管可包括：金属板；以及一个或多个半导体二极管芯片，每个半导体二极管芯片夹在相邻的两块金属板之间，其中每个半导体二极管芯片包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括N掺杂层和在所述N掺杂层之上的P掺杂层，...

本发明提供了一种电容式压力传感器和惯性传感器集成器件及其形成方法，该器件包括：半导体衬底；覆盖该半导体衬底的外延层，该外延层下方的压力传感器区域内的半导体衬底中具有空腔；位于外延层上的第一介质层；位于第一介质层上的第一导电层；位于第一导...

本发明提供的外延温度测试监控结构及形成方法，方法包括：在衬底上生长介质层；在介质层中形成包括具有大小相等、第一间距一定的第一开口的监控结构窗口；消耗掉暴露出的部分衬底后生长出氧化层，去除介质层和氧化层，形成具有大小相等、第二间距具有台阶...

本发明提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该...

本发明提供了一种双极PNP晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述外延层中的深磷区、基区、集电区和发射区；形成于所述外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于所述第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互...

本发明提供了一种恒流二极管，包括：衬底；形成于所述衬底上的外延层；形成于所述衬底和外延层之间的第一掺杂区；形成于所述外延层中的第二掺杂区、第三掺杂区和第四掺杂区；形成于所述第三掺杂区表面的第一正电极和形成于所述第二掺杂区表面和第四掺杂区...

本发明提供了一种双极NPN晶体管及其制造方法，包括：衬底；形成于衬底上的外延层；形成于外延层中的集电区、淡基区、浓基区和发射区；形成于外延层上的第一层间介质层和电压调变介质层；形成于第一层间介质层和电压调变介质层上的第一互连线；形成于第...

本实用新型提供了一种集成式双向超低电容TVS器件，包括第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于其中的第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层，形成二极管D2；贯穿第二导电类型外延层的隔离结构，形成第一、...

本实用新型提供一种集成式单向超低电容TVS器件，包括：第一导电类型衬底；位于其上的第一导电类型外延层；位于第一导电类型外延层中的第二导电类型埋层；位于第一导电类型外延层上的第二导电类型外延层，构成二极管D2；沟槽贯穿所述第二导电类型外延...

本发明揭示了一种肖特基二极管，包括：半导体衬底；外延层，位于所述半导体衬底的一侧；保护环，位于背离所述半导体衬底一侧的所述外延层中；凹槽，位于所述外延层背离所述半导体衬底一侧的表面，所述保护环包围所述凹槽，并与所述凹槽通过所述外延层相隔...

本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的半导体衬底，具有相对的正面和背面，作为IGBT器件的场截止区；位于半导体衬底正面上的外延层，外延层的背面与半导体衬底的正面贴合，外延层具有第一掺杂...

本发明提供了一种集成续流二极管的功率半导体器件及其形成方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的场截止区，该场截止区包括第一外延层，或者该场截止区包括半导体衬底以及位于该半导体衬底正面的第一外延层；位于场截止区正面上的第二外延层，第二外延层的...

本发明提供了一种光栅位置的测量方法，包括：提供一光刻版模板，所述光刻版模板具有刻度尺标记图案；使用所述光栅与所述光刻版模板对一测试样品进行光刻工艺，以在所述测试样品上形成与所述刻度尺标记图案对应的刻度尺标记；将所述刻度尺标记的边缘的刻度...

本发明涉及贴片式无源电子元件安装结构和方法。本发明的具有端子的贴片式无源电子元件的安装结构包括：载体部；绝缘胶水，绝缘胶水将贴片式无源电子元件固定到载体部；以及键合丝，键合丝的一端键合到贴片式无源电子元件的端子之一上。另一方法，本发明的...

本发明提供了一种光刻胶去除方法和光刻工艺返工方法，利用正性光刻胶曝光后再显影实现光刻胶的去除，同时在此去胶方法上实现光刻工艺返工方法，以解决现有技术中，正性光刻胶的去胶效果稳定性不佳，不仅无法达到去胶效果，还给返工工艺带来风险的问题。进...

本发明提供的用于MEMS工艺中的深槽制造方法，通过在一用于MEMS封帽的硅衬底的正面上依次形成一缓冲层和一掩蔽层，在硅衬底的背面形成一接触层；对掩蔽层进行刻蚀，形成暴露出缓冲层的腐蚀窗口；第一酸性溶液去除暴露出的缓冲层，利用电化学腐蚀在...

本发明提供了一种集成式双向超低电容TVS器件及制造方法，包括：提供第一导电类型衬底；其上形成第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层上形成第二导电类型外延层，形成二极管D2；形成隔离结构，并形成第一区域、第二区域及第三区域；在第一区域中...

本发明提供一种集成式单向超低电容TVS器件及其制造方法，方法包括：提供第一导电类型衬底；第一导电类型衬底上形成第一导电类型外延层；第一导电类型外延层中形成第二导电类型埋层；第一导电类型外延层上形成第二导电类型外延层，形成二极管D2；形成...