本发明公开了一种肖特基二极管的正面电极工艺方法及其电极结构，所述的方法包括常规的外延、氧化、一次光刻、硼注入、退火、二次光刻、二氧化硅腐蚀、势垒淀积、势垒合金、势垒腐蚀步骤外，本发明采用了清洗，依次真空蒸发接触层金属Ti(钛)或V(钒)...

本发明公开了一种在P+衬底上制备低压二极管芯片的方法及结构，所述的方法包括如下步骤：在P+衬底上直接通过外延，形成P-外延层、通过注入硼，形成P+阱、P阱退火、通过光刻和刻蚀形成N-环区域、N-环退火通过光刻和刻蚀形成N+主结区、N+主...

本发明公开了一种MOSFET功率器件减小导通电阻RDS(on)的工艺方法，该方法包括A和B两种技术方案，所述的方法包括选择重掺杂N型衬底，生长轻惨杂N外延层、做磷注入、高温退火，在外延层表面形成一定结深的浓N型区、在外延层上完成分压环及...

本发明的一种LED保护二极管芯片制造方法及其LED保护二极管芯片的结构和具有保护二极管芯片的保护装置，其步骤包括在P+衬底上进行N型外延、对N型外延表面进行氧化、光刻刻蚀、P+窗口进行P+硼扩散等步骤。LED保护二极管芯片的结构及其LE...

Bipolar电路的引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行光刻、刻蚀；(5...

本发明提出了一种平面高压晶体管的分压环制造方法及其结构，其主结和分压环在不同的工序中形成，采用本方法形成的平面高压晶体管，分压环占用面积小，可以降低平面高压晶体管成本，分压环杂质浓度与外延浓度相近，可以确保在ＰＮ结反向偏压时分压环已耗尽...

本发明公开的栅氧击穿型一次性可编程单元的读出结构及方法，包括第一一次性可编程器件、第二一次性可编程器件和误差放大器，第一一次性可编程器件和第二一次性可编程器件分别经过开关器件连接到误差放大器的正负输入端，烧录后，第一一次性可编程器件被击...

本实用新型提供一种芯片金属凸点电极的电镀设备，其特征在于电镀设备由若干个电镀槽依次串连在一起，所述的电镀槽包括水洗槽和单元槽，所述的单元槽内又分为若干个子单元槽，所述的子单元槽依次串连并相互隔离，相邻的子单元槽之间的槽壁一侧挂钛蓝，另一...

本发明提供了一种将ＯＴＰ存储器版图修改为ＲＯＭ存储器版图的方法，其特征在于在ＯＴＰ版图中将需要烧录击穿的电路结构的二端，在ＲＯＭ版图中通过短接实现；不需要烧录击穿的电路结构的二端，在ＲＯＭ版图中通过断开实现，本发明还提供了利用ＯＴＰ存储...

本发明提供了Ｂｉｐｏｌａｒ电路的多层复合钝化膜结构包括淀积在硅基底表面的底层氧化硅薄膜层和淀积在该氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层，所述的氧化硅薄膜层中掺有一定比例的磷烷，氧化硅薄膜层依次为不掺杂的二氧化硅层、掺杂的磷硅玻璃层、不掺杂的二氧...

本发明提供的Ｐ型硅衬底背面金属化的制作方法包括如下步骤：（１）在芯片减薄后，在背面蒸发一层Ａｌ薄层；（２）在Ａｌ薄层上依次蒸发金属Ｎｉ和金属Ａｇ；（３）进行一次３５０℃～４５０℃的温度处理，使铝薄层与硅形成铝硅合金的同时，使三价铝掺入硅...

本发明提供了一种将ＯＴＰ存储器版图修改为ＲＯＭ存储器版图的方法，其特征在于：１）ＯＴＰ存储器版图包括：Ｎ型有源区、多晶、连接Ｎ型有源区／多晶同第一层铝（一铝）的引线孔、一铝、连接一铝同第二层铝（二铝）的通孔、二铝；２）ＯＴＰ存储器版图改...

本发明公开一次性可编程单元包括可击穿栅氧介质的存储元件、第一ＮＭＯＳ晶体管和第二ＮＭＯＳ晶体管，存储元件第一端连接第一电压端，第二端连接第一ＮＭＯＳ漏极，第一ＮＭＯＳ栅极连接第二电压端，第一ＮＭＯＳ源极连接第二ＮＭＯＳ漏极，第二ＮＭＯＳ...

本发明提供了一种芯片低接触电阻背面金属化结构，其特征在于依次包括硅、金砷、背面金属化金属。所述的背面金属化的金属可以为：钛、镍、银；其中所述的金属钛还可以用钒或铬代替；所述的银还可以用金代替，或者在银上加金。同时本发明还提供了一种芯片低...