平面高压晶体管的分压环的制造方法及其结构技术

本发明专利技术提出了一种平面高压晶体管的分压环制造方法及其结构，其主结和分压环在不同的工序中形成，采用本方法形成的平面高压晶体管，分压环占用面积小，可以降低平面高压晶体管成本，分压环杂质浓度与外延浓度相近，可以确保在ＰＮ结反向偏压时分压环已耗尽，分压环上的电场比传统工艺方法形成的分压环上的电场强度大很多，同时各分压环间距小在保持最大雪崩电场强度Ｅ不变的情况下，极大地提高了分压环区域的平均电场强度，从而改善了平均单位尺寸承受的电压大小，最终使平面高压晶体管在相同电压下所需分压环的尺寸大幅下降，可进一步降低了芯片成本。同时分压环与主结的环间距大大减少，分压环环宽可以按最小光刻尺寸设计。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及平面高压晶体管的耐压技术，尤其涉及平面高压晶体管的分压环设计 技术。
技术介绍
平面高压晶体管的终端PN结弯曲通常会引起电场集中，导致平面高压晶体管的 击穿耐压大大低于理论值，在平面高压晶体管中常采用分压环降低表面电场强度，提高击 穿耐压。常规的平面高压晶体管的分压环与主结同时形成，其实现步骤如下(1)对平面高压晶体管的SI02层进行光刻、刻蚀，形成主结窗口、分压环窗口，如 图 1 (a)；(2)对平面高压晶体管主结窗口、分压环图形窗口进行氧化，如图1(b)；(3)平面高压晶体管的主结窗口、分压环图形窗口每平方厘米注入1E14 2E15个 硼离子，如图1(c)；(4)平面高压晶体管的主结窗口、分压环窗口进行注入退火，形成主结、分压环，如 图1⑷。上述方法形成的分压环结深、浓度与主结相同，分压环与主结的环间距通常在几 十微米，例如当主结结深在15um的平面高压晶体管，其环间距一般在60um;当主结结深在 6um的平面高压晶体管，其环间距一般在50um以上。分压环与主结的环间距的大小对大尺 寸晶体管的成本影响相对较小，而对小尺寸晶体管的成本影响很大，如尺寸为ImmXlmm本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种平面高压晶体管的分压环制造方法，其特征在于平面晶体管的主结和分压环在不同的工序中形成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王英杰，吴贵阳，崔健，王平，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：86[]