本实用新型提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，过渡区中具有减少修调电阻熔丝尖刺的修调刻开区；形成在修调熔丝和介质层上的钝...

集成电路、LED驱动电路以及电源转换集成电路封装结构。根据本实用新型的封装结构，包括：塑封体，塑封体容纳并封围电子元件，塑封体具有顶面、底面和侧面；以及引脚，引脚从塑封体的侧面突伸出；其中，引脚包括沿塑封体的侧面延伸的第一引脚部和向内侧...

本发明提供了一种MEMS玻璃浆料键合结构及其制造方法，该结构包括：封帽硅片，其上设置有微机械保护腔和位于该微机械保护腔外围的第一玻璃浆料键合区；器件硅片，其上设置有微机械结构槽和位于该微机械结构槽外围的第二玻璃浆料键合区，该微机械结构槽...

本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：N型掺杂的半导体衬底，该半导体衬底的晶向为；位于半导体衬底正面上的纵向掺杂均匀的第一外延层，第一外延层的掺杂类型和掺杂浓度与半导体衬底相同，半导体衬底和第一外延层共同作为IGBT器件的场截止区；...

本发明提供一种减少熔丝尖刺的修调结构，包括半导体衬底；介质层；形成于介质层上的修调熔丝具有一修调电阻、两探针接触垫及分别用于连接修调电阻和探针接触垫的过渡区，过渡区中具有减少修调电阻熔丝尖刺的修调刻开区；形成在修调熔丝和介质层上的钝化层...

本实用新型提供了一种功率半导体器件，包括：具有第一掺杂类型且纵向掺杂均匀的第一外延层，所述第一外延层作为IGBT器件的场截止区；位于所述第一外延层正面上的第二外延层，第二外延层具有第一掺杂类型且掺杂浓度低于所述第一外延层的掺杂浓度；IG...

本实用新型提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；修调熔丝，由熔丝淀积形成于介质层上，修调熔丝有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在修调熔丝的两端分别有连接垫；钝化层，形成在修调熔丝和介质层上...

本实用新型提供一种外延标记，包括：衬底；埋层光刻标记，形成在衬底上；第一消耗层，以埋层光刻标记为边界形成在衬底中；埋层氧化层，形成在第一消耗层上；第二消耗层，以埋层光刻标记为边界形成在衬底中且包围第一消耗层，其中，第一消耗层和第二消耗层...

本实用新型提供一种双极电容结构，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的第一介质层中形成接...

本实用新型提供一种肖特基二极管，本实用新型所述肖特基二极管通过设置第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区均匀分布在所述势垒区的内部，所述第二掺杂区形成于所述第一掺杂区和所述外延层表面之间且每一所述第二掺杂区与所述第一掺杂区一一对应接触。...

本实用新型提供一种采用刻槽工艺形成的恒流二极管，包括：衬底；位于衬底正面上的外延层；设有第一窗口和第二窗口的第一绝缘层覆盖在外延层表面上；与第一绝缘层紧邻且位于外延层表面上的第二绝缘层；位于外延层中且两端分别与衬底和第二绝缘层连接的P+...

本实用新型提供一种具有三层介质钝化结构的二极管，包括：正面电极，形成在晶片的PN结中的P接触区上；三层介质钝化结构，包括二氧化硅介质、氮化硅介质和聚酰亚胺介质，所述二氧化硅介质形成在晶片上且包围形成在PN结中的P接触区；所述氮化硅介质形...

本实用新型揭示了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有至少一第一埋层窗口和至少一第二埋层窗口；阻挡层，位于所述第一埋层窗口上；保护层，位于所述阻挡层旁的所述衬底上；中间层，位于所述第一外延层上，所述保护层的上表面和所述阻挡层的上表面的...

本发明提供一种修调电阻，包括半导体衬底；介质层，形成于半导体衬底上；熔丝修调形状，由熔丝淀积形成于介质层上，熔丝修调形状有熔断区域和两端，熔断区域中有改变电流密度大小的修调结构和在熔丝修调形状的两端分别有连接垫；钝化层，形成在熔丝修调形...

本实用新型提供一种场截止缓冲层，形成在IGBT器件中，包括：N型衬底；以及P型埋层，形成在N型衬底中。本实用新型还提供一种具有场截止缓冲层的IGBT器件，包括：场截止缓冲层，场截止缓冲层包括N型衬底和形成在N型衬底中的P型埋层；N-外延...

本实用新型揭示了一种封装切割结构，该封装切割结构包括：划片机的圆片环；蓝膜，所述蓝膜粘贴在所述圆片环上；绝缘胶膜，所述绝缘胶膜粘贴在所述蓝膜上，所述绝缘胶膜上具有若干由划片机切割形成的绝缘胶膜块。本实用新型还揭示了一种封装结构，包括：载...

本实用新型提供一种外延缺陷分析结构，包括：半导体衬底，半导体衬底的一部分表面形成有外延生长区域，暴露出阻挡层保护区域保护的半导体衬底的另一部分表面；外延层，形成于外延生长区域上。本实用新型对外延缺陷分析结构中的阻挡层保护区域所保护的半导...

本实用新型公开了一种保证全包封产品塑封体厚度的夹具，用于对框架载片台进行整形，框架载片台由包括芯片台、底部和引线，底部和引线分别设置于所述芯片台的两侧，所述夹具包括主体结构、半轴压力柱头、以及减震限位机构，所述减震限位机构和半轴压力柱头...

本实用新型提供一种N沟道耗尽型功率MOSFET器件，包括半导体衬底和位于其上的外延层，所述外延层包括分压环形成区和有源区；栅极，形成于所述有源区上；P型阱区，形成于在所述栅极之间的有源区中；P型接触区和P型接触区旁的源区，均形成于所述P...

本实用新型揭示了一种低漏电的低压二极管芯片，所述低漏电的低压二极管芯片包括：衬底；外延层，设置于所述衬底的上表面，所述外延层具有高压二极管区、三极管区以及用于隔绝所述高压二极管区和三极管区的隔离，所述高压二极管区具有第一极和第二极，所述...