一种双极电容结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种双极电容结构，包括在提供的半导体衬底上淀积第一介质层，半导体衬底的外延层中形成有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；将接触孔图形及电容窗口图形合并到同一掩膜版上进行刻蚀，在形成的各层次上的第一介质层中形成接触孔，同时在第二类掺杂区上的第一介质层中形成所需的电容窗口；生长二氧化硅层，去净选取的部分电容窗口中的二氧化硅层，再去除淀积的部分氮化硅层，以保留所需的电容窗口内的氮化硅层，形成不同电容。本实用新型专利技术能缩短发射区退火工艺生产时间，解决特殊电路高低压模块中对电容值及电容耐压的要求以及解决发射区与接触孔光刻对位精度对产品的影响。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体制造工艺
，尤其涉及一种双极电容结构。
技术介绍
传统的双极电路工艺采用的制造方法流程结合图1到图8做详细的说明:参见图1，形成底层:选取合适的衬底材料21 ;通过氧化、光刻、刻蚀、注入等工艺在所述衬底材料上形成电路所需的N型掺杂埋层22及P型掺杂下隔离23 ;通过外延工艺生成外延层24 ;氧化生成6000A的第一氧化层26，用于对不需掺杂的区域做阻挡；采用光刻、刻蚀工艺在外延层24中形成深磷窗口，通过向深磷窗口进行磷扩散掺杂、退火氧化形成N型掺杂深磷28，用于减少器件电极串联电阻；再在外延层24中形成上隔离窗口，通过向上隔离窗口进行铜扩散掺杂、退火氧化形成P型掺杂上隔离25，形成上隔离25与下隔离23相连接的完整的隔离结构，在形成深磷和上隔离后所处的深磷窗口和上隔离窗口又重新会生长薄层的第二氧化层；参见图2，完成两步扩散掺杂后采用一定浓度的氢氟酸溶液漂洗(体积比为HF: H20 = I: 8)去净第一氧化层26和第二氧化层；参见图3，氧化生长800A的第三氧化层27(图中未示)，用于注入牺牲层，通过光刻、注入、扩散、退火等工艺在外延层24中形成多个第一类P型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双极电容结构，包括：?一半导体衬底，所述半导体衬底的外延层中有掺杂的深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离；?淀积在所述半导体衬底上的第一介质层；?分别形成在所述深磷、第一类掺杂区、第二类掺杂区和上隔离上的第一介质层中的接触孔，以及形成在所述第二类掺杂区上的第一介质层中所需的电容窗口；?二氧化硅层和氮化硅层，由下至上形成复合电容位于所需的电容窗口中。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张佼佼，李小锋，杨彦涛，肖金平，王铎，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：实用新型
国别省市：