用于可控硅阀组检测的实验站制造技术

一种用于可控硅阀组检测的实验站，该全能实验站以动力半导体技术为基础，可以当成可控硅阀组的等效电流源和电压源使用，并对可控硅阀组进行检测。实验站包括整流环节；双极性直流电压源；双极性电容器；电压振荡回路包括串联的第二组电容器、第一个电抗器，连接在等电位母线与整流环节输出端的第一个可控硅阀组；连接在等电位母线和接地母线之间的电流回路，它可以导入可控硅电抗器回路，并且在回路中有可操作可关，通过可操作开关可以把可控硅电抗回路连接在电压振荡回路里的第二组电容器的第一个输出端和接地母线之间，或者与电压振荡回路中的第一个可控硅阀组并联，它的目的是保证实验台对不对称可控硅阀组和对称可控硅阀组进行检测。

【技术实现步骤摘要】

此专利技术是在电力专业内以动力半导体技术为基础，可以当成可控硅阀组TCR、TSC、 异步电机软启动及其它设备的等效电流源和电压源使用，并对其进行实验。
技术介绍
众所周知用于可控娃阀组TCR和TSC的实验检测(Baoliang Sheng, Senior Member, IEEE ；Marcio Oliveira, Member, IEEE;Hans_01a Bjarme,“Synthetic Test Circuits for the Operational Tests of TCR and TSC Thyristor Valves，，·-IEEE-PES T&D Conference, Chicago, Illinois, USA, April 21-22，2008)，(见图 Fig. I 和 Fig. 3)，它包括了用于连接被检测阀组(Vtl+/Vtl_)的接地母线和等电位母线；电压振荡回路(Cs，LI 和 Va3/Va4);电流回路(G/Lg, Ls, Val+/Val_, Arrester h Shunt banks);冲击回路(Imp. Gen);直流电压源(DC Source);第一组电容器C2和其它。此实验台在以下情况有很大的不足及缺点。当被检测可控硅阀组Vtl+/Vtl_为TCR 或TSC型由驱动板驱动可控硅，并且驱动板由可控硅上得到电压，那么它就无法去阀组进行实验。直流电压源(DC Source)必需是高电压(达到80kV)。在对TCR型阀组进行实验时，第一组电容器C2也是在高压状态，充电的可控硅阀组Va2上有双倍电压。在对TSC型阀组进行实验时，电压振荡回路上的第二组电容器Cs上面要有TSC四倍以上的容量，而此时电抗器LI上就必需是冲击时的容量。实验台也无法在过载情况下对TCR进行实验，比如补偿电抗器一半短路。同样的也无法对单方向形式构成的可控硅阀组进行实验。除此之外，它还缺少最普通的一个功能，即在正弦曲线特性下进行高电压的实验。
技术实现思路
本专利技术提供一种用于可控硅阀组检测的实验站，扩大了实验台的功能，简化了所需要的设备，同时大大提高了可控硅阀组检测实验的安全运行。为实现上述目的，本专利技术通过以下技术方案实现用于可控硅阀组检测的实验站，包括用于连接被检测阀组的接地母线和等电位母线；整流环节；通过第一个和第二个输出端分别与等电位母线和整流环节输出端连接的电压振荡回路；双极性直流电压源；零极与接地母线相连，正负极分别与整流环节相对应连接的双极性电容器；连接在等电位母线和接地母线之间的电流回路。这里电压振荡回路包括第一个可控硅阀组，第一个电抗器和第二组电容器，第二组电容器的第一个输出端与串联的第一个电抗器和第一个可控娃阀组相连，这个阀组与电压振荡回路的第一个输出端相连接，并且第二组电容器的第二个输出端与电压振荡回路的第二个输出端相连接。 导通由可控硅阀组和电抗器组成的回路，这个回路由第二个电抗器，可控硅阀组和可操作开关串联而成。此回路或者是连接在电压振荡回路中第二组电容器的第一个输出端与接地母线之间，或者是与电压振荡回路中的第一个可控硅阀组并联。在专利中所提到的可控硅阀组与电抗器组成的回路，是通过可操作开关并联在电压振荡回路里的，保证在正常工作和事故过载情况下对TCR型阀组进行实验。把可控硅阀组与电抗器组成的回路连接在电压振荡回路第二组电容器的第一个输出端和接地母线之间是为了做下面的实验对TSC型阀组在工作和事故状态条件下进行驱动板满功率宽范围的实验；在工作和过载状态下阀组的不对称控制实验；任何一个阀组在正弦曲线特性下的高电压实验以及其它。并且在此时冲击回路中的原器件电源和电容器都是在低压侧。附图说明图I为用于可控硅阀组检测的实验站的电气原理图，本文中的叙述以此原理图为基础。图2，图3和图4为申请专利实验站的时序图，即实际工作原理。具体实施例方式用于可控硅阀组检测的实验站，(见图I)包括接地母线I ;等电位母线2 ;被检测可控硅阀组3 ;直流电压源4 ;第一组电容器5 ;电压振荡回路6 ;整流环节7 ;电流回路8 ;冲击回路9 ;分布电容回路10 ;第一个保护电抗器11 ;第二个保护电抗器12,控制系统13 ;变压器14 ;第一个电流互感器15 ;第二个电流互感器16。被检测可控硅阀组3是由正反并联可控硅构成的，正方向可控硅阀组为17，反方向可控硅阀组为18，并且正方向可控硅阀组 17的控制输入和反方向可控硅阀组18的控制输入与控制被检测可控硅阀组3的输入信号正方向3+和反方向3-是相对应的。直流电压源4在输出端有正极PV，负极NV和零极MV， 它包括了第一个二极管阀组19，第二个二极管阀组20和第一个自耦变压器21。这个自耦变压器21的一次侧绕组电压为vN(t)，二次绕组的第一个输出端与阳一阴形式构成的第一个二极管阀组19和正极PV相连，并且通过阴一阳形式构成的第二个二极管阀组20和负极NV相连，第一个自耦变压器21 二次侧绕组的第二个输出端与零极MV相连。第一组电容器5有正极PV，负极NV和零极MV，包括了两个单元分别为22和23。第一个单元22的第一个输出端和第二个单元23的第二个输出端的连接保证与正极PV和负极NV相对应，第一个单元22的第二个输出端和第二个单元23的第一个输出端与零极MV相连接。电压振荡回路6中串联有第二组电容器24，第一个电抗器25和第一个可控硅阀组 26，第一个可控硅阀组26为正反并联形式，正方向可控硅为27，反方向可控硅为28，正方向的控制信号为6+，反方向的控制信号为6_，通过这些信号去电压振荡回路6进行控制。整流环节7有输出0UT，正极PV和负极NV，它包括了第二个可控硅阀组29和第三个可控硅阀组30，并且每个可控硅阀组都是由正方向可控硅31和反方向二极管32并联形式构成的，可控硅31的阳极和二极管32的阴极为29 (或30)第一个输出端，可控硅31的阴极和二极管 32的阳极为整流环节7中阀组29 (或30)的第二个输出端；整流环节7的输出OUT与第二个可控硅阀组29的第二个输出端和第三个可控硅阀组30的第一个输出端相连接，整流环节7的正极PV和负极NV与第二个可控硅阀组29的第一个输出端和第三个可控硅阀组30 的第二个输出端相连接，第二个可控硅阀组29上可控硅31的控制输入和第三个可控硅阀组30上可控硅的控制输入构成了整流环节7的正方向7+和反方向7-的控制信号。电流回路8串联有交流电压源，这个交流电压源为变压器33 ;限流电抗器34 ;第四个可控硅阀组35，这个可控硅阀组是正反并联形式可控硅构成的，正方向可控硅为36，反方向可控硅为37 ;辅助可控硅阀组38，它同样是正反并联形式可控硅构成的，正方向可控硅为39，反方向可控硅为40 ;变压器33的一次绕组连接着开关41，电压为vN(t);辅助可控硅阀组38与在变压器33的二次绕组侧串联的限流电抗器34连接；第四个可控硅阀组35 上正方向36的控制输入和反方向37的控制输入与电流回路中的控制输入正方向8+和反方向8-相一致；辅助可控娃阀组38正方向39上的控制输入和反方向40的控制输入与电流回路8中的正方向8d和反方向8b相对应。冲击回路9串联有冲击电容器42，冲击电抗器43和第五本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：施多夫·亚利山大，许蓓蓓，张晓辉，司明起，
申请(专利权)人：荣信电力电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：