在同一半导体衬底内形成电力和电路元件的半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术即便在半导体装置中流过负电流的情况下，也抑制半导体衬底（3）的电位相对于构成电路元件（2）的深半导体层的电位变低，不使寄生元件动作，防止半导体装置的误动作。本发明专利技术包括n型半导体衬底（3）、电力元件（1）、电路元件（2）和外部电路。外部电路具有电源、将一端与电源连接的电阻元件、和将阳极电极与电阻元件的另一端连接并且阴极电极GND接地的二极管，将半导体层（4）与电阻元件的另一端连接。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电力用半导体装置，尤其涉及在同一半导体衬底内形成电力元件与电路元件的半导体装置。
技术介绍
近年来，在电力用半导体装置中，衬底将向所连接的负载供给电力的电力元件与控制电力元件的电路元件形成于同一半导体衬底的构造得到开发。在衬底将电力元件与电路元件形成于同一半导体衬底的半导体装置中，在通常动作中，半导体衬底的电位不会比构成电路元件的P型的深半导体层(GND接地)的电位低。因此，构成电路元件的NMOS(N-channel Metal-Oxide-Semiconductor:N沟道金属氧化物半导体)与半导体衬底之间形成的寄生元件(寄生NPN晶体管)不在通常动作中动作，半导体装置不会误动作。但是，在半导体装置中流过负电流的情况下，半导体衬底的电位比构成电路元件的P型的深半导体层的电位低，从P型半导体层向半导体衬底流过寄生电流，寄生元件动作。当寄生元件动作时，半导体装置有可能误动作。在日本特开2006 - 156959号公报和日本特开平06 — 350032号公报中，公开有不使形成于半导体装置的寄生元件动作、防止半导体装置误动作的构成。在日本特开2006 — 156959号公报本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，包括：第1导电类型的半导体衬底；电力元件，形成于所述半导体衬底的一面，向所连接的负载供给电力；电路元件，形成于形成有所述电力元件的所述半导体衬底的所述一面，至少包含1个具有第1导电类型的源极/漏极区域的MOS晶体管；第2导电类型的第1半导体层，形成于形成有所述电力元件的所述半导体衬底的所述一面，相对于所述电力元件和所述电路元件而独立配置；和外部电路，与所述半导体衬底和所述第1半导体层电连接，所述外部电路具有第1电源、将一端与所述第1电源连接的第1电阻元件、和将阳极电极与所述第1电阻元件的另一端连接并且阴极电极GND接地的第1二极管，将所述第1半导体层与所述第1电阻元件的所述另一...

【技术特征摘要】
2011.10.26 JP 2011-2348141.一种半导体装置，包括: 第I导电类型的半导体衬底； 电力元件，形成于所述半导体衬底的一面，向所连接的负载供给电力； 电路元件，形成于形成有所述电力元件的所述半导体衬底的所述一面，至少包含I个具有第I导电类型的源极/漏极区域的MOS晶体管； 第2导电类型的第I半导体层，形成于形成有所述电力元件的所述半导体衬底的所述一面，相对于所述电力元件和所述电路元件而独立配置；和外部电路，与所述半导体衬底和所述第I半导体层电连接， 所述外部电路具有第I电源、将一端与所述第I电源连接的第I电阻元件、和将阳极电极与所述第I电阻元件的另一端连接并且阴极电极GND接地的第I 二极管， 将所述第I半导体层与所述第I电阻元件的所述另一端连接。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中， 还具备在所述第I半导体层内形成的第I导电类型的第2半导体层， 由所述第2半导体层、所述第I半导体层和所述半导体衬底构成第I晶体管， 将所述第2半导体层与所述第I电阻元件的所述一端连接，将所述第I半导体层与所述第I电阻元件的所述另一端连接。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中， 将所述外部电路的所述第I电阻元件和所述第I二极管中至少一个形成于所述半导体衬底内。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，还具备: 第2导电类型的第3半导体层，形成于形成有所述电力元件的所述半导体衬底的所述一面，至少相对于所述电路元件和所述第I半导体层而独立配置；和第I导电类型的第4半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：山本刚司，河本厚信，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：