【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路，更具体而言，本申请涉及一种具有功率场效应晶体管和/或双极功率晶体管的平面单片式高电压集成电路，所述功率场效应晶体管和/或双极功率晶体管具有高电压扩散连接。
技术介绍
在一些应用中，高电压集成电路在单一整片的集成模块上，典型地既包含高电压 晶体管也包含低电压晶体管。高电压晶体管为承受所施加的大电压而具有比低电压晶体管大的尺寸，这适用于所有高电压晶体管，无论其传输高电流还是传输低电流，否则，高电压晶体管可能会有问题，例如结击穿或材料击穿，其导致集成电路中产生不可控电流。该不可控电流可能导致较差的可靠性、甚至致命故障。由于包含多个、大型(large)高电压晶体管而导致的较大芯片面积会产生较高的芯片成本和较低的良率。高电压-低电流晶体管，尽管宽度比高电压-高电流晶体管(有时称为功率晶体管)小，但如果像传统的独立晶体管一样设计，仍然会因为高电压扩散需要的尺寸而占用相对大的芯片面积。因此，在集成电路中，高电压晶体管通常会比低电压晶体管少，甚至有时只有一个高电压晶体管。在这些应用的一些子类(sub-group)中，高电压会分别利用开集或开漏的结构、通过...
【技术保护点】
一种平面单片式高电压集成电路包含：在一第二导电类型的一半导体衬底上的一第一导电类型的一半导体区，该半导体区与所述半导体衬底形成一p?n结；在所述半导体区中的所述第一导电类型的一第一扩散区，所述半导体区在所述第一扩散区和所述半导体衬底之间垂直延伸；一第一场效应晶体管包含：????一第一栅极；????位于所述半导体区上方并且位于所述第一栅极和所述半导体区之间的一第一栅极介电层，该第一栅极介电层具有一第一边界和一第二边界；????在所述半导体区中的所述第二导电类型的一第一体区，其中第一体区：????????在第一栅极介电层的第一边界与部分第一栅极介电层重叠；????????与所述...
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞纳斯·乔，
申请(专利权)人：普缘芯半导体科技上海有限公司，普缘芯半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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