【技术实现步骤摘要】
去輔电容器电路系统相关串请的交叉引用本申请要求2011年7月I日提交的美国专利申请No. 13/175，724的优先权，在此通过引用整体并入该申请。
本公开总体涉及集成电路，并且更具体而言，涉及具有去耦电容器的集成电路。
技术介绍
去耦电容器经常用于帮助提供更为稳定的电源电压给集成电路上的电路系统。去耦电容器将直流(DC)电源线上的高频噪声旁路至接地电源线，从而防止噪声到达被加电的电路部件。在需要电源在各种操作模式之间切换的情形中，充足的去耦电容可以用作减小模式切换事件期间电源电压中的非期望骤降的幅度的能量储备。集成电路设计中的发展要求电源供应稳定的功率以供集成电路以高数据速率和时钟速度操作。这要求增加每单位集成电路面积的去耦电容的量。大的去耦电容会占用集成电路上的过多的宝贵表面面积。为了满足现代工艺的严格的多晶硅密度要求，每个去耦电容器包括紧邻其多晶硅栅极的虚设多晶硅结构。多晶硅栅极连接至电源线，而虚设多晶硅结构与操作的电路系统电学断开(即，虚设多晶硅结构并非被有源驱动至任何特定电压电平)。包括在该布置中形成的多个去耦电容器阵列块的集成电路可以具有由去耦电容器电...
【技术保护点】
一种集成电路，包括：第一端子和第二端子；半导体衬底；在所述半导体衬底上的绝缘体层；在所述绝缘体层上的导体，配置成用作集成电路电容器的第一导电结构，其中所述导体电耦合至所述第一端子；以及至少一个符合密度准则的结构，电耦合至所述第二端子并且配置成用作所述集成电路电容器的第二导电结构。
【技术特征摘要】
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