【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于MEMS工艺中的深槽制造方法，其特征在于，包括如下步骤：在一用于MEMS封帽的硅衬底的正面上，由下至上分别形成一缓冲层和一掩蔽层；在所述硅衬底的背面形成一接触层；刻蚀形成在所述硅衬底正面的掩蔽层，以形成暴露出缓冲层表面的腐蚀窗口；采用第一酸性溶液去除暴露出的缓冲层，并通过电化学腐蚀在所述腐蚀窗口对应的硅衬底位置处形成多孔硅层后，停止所述电化学腐蚀，所述多孔硅层的厚度为一深槽的深度；所述第一酸性溶液去除剩余的掩蔽层和缓冲层后，使用碱性溶液去除所述多孔硅层，形成所述深槽，或者，采用热氧化工艺使所述多孔硅层成为热氧化硅层后，采用第二酸性溶液去除所述热氧化硅层、剩余的掩蔽层及缓冲层，形成所述深槽。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：季锋，范伟宏，闻永祥，刘琛，饶晓俊，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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