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用于MEMS工艺中的深槽制造方法技术
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下载用于MEMS工艺中的深槽制造方法的技术资料
文档序号:9538418
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本发明提供的用于MEMS工艺中的深槽制造方法,通过在一用于MEMS封帽的硅衬底的正面上依次形成一缓冲层和一掩蔽层,在硅衬底的背面形成一接触层;对掩蔽层进行刻蚀,形成暴露出缓冲层的腐蚀窗口;第一酸性溶液去除暴露出的缓冲层,利用电化学腐蚀在腐蚀...
该专利属于杭州士兰集成电路有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过杭州士兰集成电路有限公司授权不得商用。
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