【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造工艺
，尤其涉及一种。
技术介绍
利用半导体制造工艺完成二极管的PN结后，一般会在晶片的表面进行钝化，用于保护PN结，避免PN结受到外界的沾污及水汽的影响，保证PN结的稳定性及可靠性。晶片表面钝化的好坏会直接影响二极管的质量，若钝化效果不好，则二极管在后工序封装后较容易受到水汽、金属离子等沾污，使二极管电学性能发生退化，导致二极管漏电流变大、反向击穿曲线蠕动漂移，最终使PN结失效损坏。钝化层的结构成为保护二极管质量的重要保证。二极管的表面钝化一般是在半导体制造工艺制作PN结时，采用热生长方式在PN结的表面生长一定厚度的二氧化硅形成钝化结构，以起到对PN结的屏蔽与保护作用。但单纯的二氧化硅钝化结构不能有效的阻挡可移动的金属离子及水汽的影响，常常会导致二极管在后工序封装后电学性能发生退化。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种，以便有效地保护二极管内部的PN结，避免受到外界的可动离子沾污及水汽的影响，从而保证PN结的稳定性及可靠性。 为了解决上述问题，本专利技术提供一种具有三层介质钝化结构的二极管的制造方法，步骤如下利用半导体工艺形成...
【技术保护点】
一种具有三层介质钝化结构的二极管的制造方法，步骤如下：利用半导体工艺形成在晶片中具有P接触区和N接触区的PN结；在晶片正面生长二氧化硅介质后，去除部分二氧化硅介质，形成暴露出所述P接触区的第一窗口；淀积覆盖在所述二氧化硅介质上和第一窗口内的氮化硅介质，去除部分氮化硅介质，形成暴露出所述第一窗口的第二窗口；在所述第二窗口内及与所述第二窗口紧邻的部分氮化硅介质上制作正面电极；在所述氮化硅介质及与所述氮化硅介质紧邻的部分正面电极上覆盖形成聚酰亚胺介质；在晶片背面制作背面电极，完成二极管的加工。
【技术特征摘要】
1.一种具有三层介质钝化结构的二极管的制造方法，步骤如下 利用半导体工艺形成在晶片中具有P接触区和N接触区的PN结； 在晶片正面生长二氧化硅介质后，去除部分二氧化硅介质，形成暴露出所述P接触区的第一窗口； 淀积覆盖在所述二氧化硅介质上和第一窗口内的氮化硅介质，去除部分氮化硅介质，形成暴露出所述第一窗口的第二窗口 ； 在所述第二窗口内及与所述第二窗口紧邻的部分氮化硅介质上制作正面电极； 在所述氮化硅介质及与所述氮化硅介质紧邻的部分正面电极上覆盖形成聚酰亚胺介质； 在晶片背面制作背面电极，完成二极管的加工。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第二窗口还暴露出与第一窗口紧邻的部分二氧化硅介质的过程为去除与第一窗口紧邻的部分氮化硅介质。3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述正面电极还覆盖在与所述第一窗口紧邻的部分二氧化硅化硅介质上。4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在晶片正面氧化生长二氧化硅介质的温度为800°C 1250°C，时间为Ih 24h。5.如权利要求4所述的二极管，其特征在于，所述二氧化硅介质的厚度为800人-10000人。6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述二氧化硅介质上淀积氮化硅介质的...
【专利技术属性】
技术研发人员：王明辉，贾文庆，郭冲，王平，
申请(专利权)人：杭州士兰集成电路有限公司，成都士兰半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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