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本发明提供一种具有三层介质钝化结构的二极管及其制造方法，方法步骤如下：利用半导体工艺形成在晶片中具有P接触区和N接触区的PN结；在晶片正面生长二氧化硅介质后，去除部分二氧化硅介质，形成暴露出P接触区的第一窗口；淀积覆盖在二氧化硅介质上和第一...该专利属于杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过杭州士兰集成电路有限公司;成都士兰半导体制造有限公司授权不得商用。