本发明公开了一种厚膜ＳＯＩ场效应晶体管，目的是提供一种既可以实现硅膜全耗尽，又可以克服ＳＯＩ器件固有的Ｋｉｎｋ效应，同时还能够增加器件的驱动电流，提高速度，改善短沟性能的厚膜ＳＯＩ场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种厚膜ＳＯＩ场效应晶...

本发明公开了一种非对称栅场效应晶体管，目的是提供一种非对称栅场效应晶体管，它可以形成很好的沟道电场分布和电子速度分布，抑制器件的短沟效应、同时提高沟道内载流子的速度，提高器件的驱动电流、跨导及截止频率，且利于小尺寸器件的制作。本发明的技...

本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种短沟道特性得到改善的场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，所述场效应晶体管的源端与漏端为ＳｉＣ材料。本发明的场效应晶体管...

本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源...

本发明公开了新颖的太阳能电池敏化剂，更具体地，本发明公开了具有电子给体－π共轭体系－电子受体（Ｄ－π－Ａ）分子结构的通式Ｄ－π－Ａ－Ｑ－Ｇ的，含有磺酸或羧酸的半菁染料，与已知的半菁染料敏化剂相比，此类敏化剂的共轭程度大，由其敏化的纳米晶...

本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，其特征在于：所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两...

本发明涉及一种微悬臂梁传感器及其制作方法，它包括一芯片，其特征在于：所述芯片上设置有至少一组传感单元，所述传感单元由组成惠斯通电桥的四个完全相同的力敏电阻和两个悬臂梁组成，其中两个所述电阻位于所述芯片的衬底上，另外两个电阻分别位于所述两...

一种源漏下陷型超薄体ＳＯＩ　　ＭＯＳ晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一沟道区，一源区和一漏区；所述栅电极位于栅介质层之上；所述栅介质位于沟道层之上；所述沟道区两端分别与所述源区和漏区相连；所述晶体管位于绝缘衬底上...

本发明公开了一种加工制造微电子机械系统元器件的方法，目的是提供一种能够满足不同用户、不同器件加工需求、适用于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）的元器件加工制造方法。本发明的技术方案为：一种元器件的制造方法，包括下述步骤中的至少二个：１）压阻制备...

本发明公开了半导体微器件的一种键合方法及其键合强度的检测方法。键合方法包括以下步骤：１）设计并制备需要键合的硅结构片的键合面膜层结构；２）必要的界面处理；３）进行键合面间的键合对准；４）实施键合。本发明还提供了两种键合强度的检测方法，分...

一种互补金属氧化物半导体集成电路，包括ｎＭＯＳ场效应晶体管和ｐＭＯＳ场效应晶体管在内的半导体器件本体，其特征在于：所述ｐＭＯＳ器件位于所述ｎＭＯＳ器件之上，双方共享同一栅电极；所述ｐＭＯＳ器件为双栅或环栅结构；所述ｐＭＯＳ器件与所述ｎＭ...

一种双栅ＭＯＳ晶体管，包括硅衬底及其上的绝缘介质层、源／漏区、沟道（体）区、栅介质层、栅电极。其特征在于：所述沟道区为所述绝缘介质层上一垂直于所述硅衬底的硅墙；所述沟道区左右两侧对称地依次纵向排列所述栅介质层、栅电极；分布在所述沟道区左...

一种双沟道积累型变容管，包括由衬底、下层沟道、栅氧一、多晶硅栅极、侧墙、源极、漏极组成的单沟变容管，其特征在于，沿单沟变容管的源极、侧墙、栅极和漏极上部淀积或者氧化一层栅氧二，在栅氧二的上部再淀积一层多晶硅，构成上层沟道；金属引出线分别...

一种离子注入涨落的模拟方法，其特征在于，包括以下步骤：首先进行Ｎ次离子注入，获得注入离子在靶材料中的最终三维位置；其次在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子数目以及Ｎ次离子注入后每个栅格内总的停留...

一种氮化物多量子阱发光二极管结构的生长方法，其步骤包括：　　　　１）采用金属有机化合物气相沉积方法在带有陪片的石墨舟上生长一层ＡｌＧａＮ薄膜；　　　　２）置换另一带有蓝宝石衬底的石墨舟；　　　　３）按正常工艺生长氮化物多量子阱发光二极管...

本发明公开了一种将ＣＭＯＳ电路与体硅ＭＥＭＳ单片集成的方法，其包括以下步骤：１．在硅片上采用标准ＣＭＯＳ工艺完成集成电路部分的制作；２．淀积钝化层保护所述集成电路部分；３．采用深槽刻蚀，在所述隔离槽内填充低温电绝缘介质；４．在背面做掩膜...

本发明公开了一种准ＳＯＩ场效应晶体管器件的制备方法，首先利用刻槽氧化的方法直接形成准ＳＯＩ场效应晶体管源漏区的Ｌ型隔离层结构，这样隔离层结构的高度宽度可以分别通过槽的深度以及氧化时间精确控制。再选择外延形成晶体管沟道和源漏区，因此可以实...

本发明提供了一种位于ＳＯＩ衬底上的ＣＭＯＳ电路结构，由栅电极、栅介质层、上下层硅锭有源区以及上下层硅锭有源区之间的隔离绝缘层所构成；下层硅锭位于衬底的隐埋氧化层之上，栅介质层位于上层硅锭有源区的顶部和两侧以及下层硅锭有源区的两侧；栅电极...

本发明提供了一种结栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该结栅场效应晶体管包括：源区、漏区、体以及控制栅，控制栅为掺杂的单晶硅，控制栅与体固定连接，形成Ｐ－Ｎ结。不同于传统的场效应晶体管的结构，即金属－绝缘层－半导体的结构，本发明去...

本发明提供了一种准双栅场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该准双栅场效应晶体管包括：源、漏区、隔离区、体以及前、后栅，前栅为多晶硅，前栅与沟道区之间设有一层栅氧，后栅为掺杂的单晶硅，后栅与体直接固定连接，形成Ｐ－Ｎ结。与传统的Ｆｉｎ...