本发明设计一种在金属热沉上制备激光剥离衬底的功率型ＬＥＤ芯片及其制备方法，具体步骤为：在蓝宝石衬底ＧａＮ外延片上大面积蒸镀透明电极Ｎｉ／Ａｕ；在透明电极上蒸镀Ｎｉ／Ａｇ／Ｔｉ／Ａｕ反射层；在反射层上电镀平整的、周期性的金属热沉单元，厚度...

本发明的目的是提供一种倒装ＬＥＤ芯片的封装方法，提高ＬＥＤ外量子效率。利用高热导率的Ａｌ、Ｃｕ，直接与芯片键合，降低封装热阻，同时降低ｆｌｉｐ－ｃｈｉｐ封装的成本。本发明利用厚Ｃｕ及Ａｕ凸点把倒装焊芯片与Ａｌ印刷电路板直接键合，然后粘上...

本发明提供了一种新结构的肖特基势垒ＭＯＳ晶体管，其特征在于所述ＭＯＳ晶体管的源区和漏区分别由两层金属或金属与半导体形成的化合物材料构成。该双层源漏肖特基势垒ＭＯＳ晶体管的制作方法和传统的肖特基势垒ＭＯＳ晶体管的制作工艺相兼容，只是在工艺...

本发明提供一种基于碳纳米管的单电子晶体管的制备方法，属于单电子晶体管的研制领域。该方法包括：先制备微米尺度的十字形金属电极，选择相对的一对金属电极，并在电极对之间搭接上一根碳纳米管（或管束），在碳纳米管（或管束）上产生一个纳米尺度的间隙...

本发明提供一种薄膜气体传感器的制备方法，属于气体传感器工艺技术领域。该方法包括：基片清洗和腐蚀，采用溅射和剥离方法制备铬／铂电极，得到表面平整的带有电极图形的基片；在带有电极图形的基片上使用直流反应磁控技术淀积氧化锡纳米敏感薄膜，并且剥...

本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于ＬＥＤ结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸，在ｎ型区表面获...

本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域ＬＥＤ外延生长，生长分立晶粒ＬＥＤ芯片，激光剥离后将分立的ＬＥＤ芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的ＬＥＤ的制备方法。分立晶粒ＬＥＤ外延层，在岛状区域外延生长过程中，由于...

本发明提供了一种快闪存储器单元，是一种基于垂直沟道场效应晶体管结构的器件，其特征在于，硅台上方的ｎ＋掺杂区是源端，硅台两边的ｎ＋掺杂区都是漏端，硅台的两侧各有两个多晶硅栅，外侧的多晶硅栅为控制栅，里侧的多晶硅栅为浮栅，浮栅与沟道区、源区...

本发明提供一种ＳＯＣ芯片制备方法，在芯片制备过程中，衬底的位于电路一面上设置一正面电极，该正面电极的形状根据衬底上要生成的多孔硅结构不同而不同，其中，电极材料可使用高掺杂多晶硅或Ｐ＋注入层。针对ＳＯＣ串扰隔离，多晶硅电极或Ｐ＋注入层设计...

本发明涉及一种ＦｉｎＦＥＴ电路与纳机电梁集成的芯片及其制作方法，本发明产品包括一芯片本体，其特征在于：芯片本体上包括机电区和电路区，机电区包括设置在芯片本体上的固定端，单端或双端固定的纳机电梁和机电区电极；电路区包括以ＦｉｎＦＥＴ为单元...

本发明提供一种换能器和阵及其制备方法，用于合成孔径声纳、猎雷声纳、侧扫声纳和测深声纳等技术领域。该换能器和阵包括：晶片、背衬、匹配层、外壳和输出导线，晶片为压电复合材料片，在晶片和背衬之间设有导电定位圈，背衬和导电定位圈上设有孔，导电定...

本发明提供一种制备ＧａＮ基稀磁半导体材料的方法，属于自旋电子学领域。该方法在利用金属有机化合物气相外延方法（ＭＯＣＶＤ）生长ＧａＮ的过程中，突然停止通入镓源；即停止生长ＧａＮ，转而通入过渡金属有机源，生长过渡元素掺杂薄层后，再切换通入镓...

本发明公开了一种检测半导体微器件键合强度的方法，该方法是根据式（Ⅱ）设计一组类似的压臂模型：８α／３≤１≤５００００／α（Ⅱ）测出在某一长度ｌ时，键合面开裂，即可算出或比较键合强度。利用本发明的方法，可以方便地对半导体微器件键合的强度进...

本发明提供一种金属栅／高Ｋ栅介质的制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法包括：对衬底进行预栅工艺处理，然后利用ＭＯＣＶＤ或ＡＬＤ技术淀积Ｈｆ基高Ｋ栅介质；在淀积的Ｈｆ基高Ｋ栅介质层上，利用ＰＶＤ或ＣＶＤ方法顺序淀积ＨｆＮ、...

本发明提供一种用于改进高Ｋ栅介质ＭＯＳ晶体管性能的衬底处理方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法包括：在制备ＭＯＳ晶体管工艺中，在高Ｋ栅介质淀积之前，首先进行利用ＲＣＡ溶液和ＤＨＦ溶液对衬底Ｓｉ进行预清洗工艺处理，清洗衬底以去...

本发明涉及一种纳机电非挥发随机存取存储器，其特征在于：它主要包括设置在芯片衬底上的海量纳米级存储单元和键合在衬底上方的玻璃；每个存储单元包括一通过转子轴支撑在存储单元中心的驻极体转子，该转子两端的衬底上设有一对电极；在衬底的驻极体转子两...

本发明提供了一种二维光子晶体湿度传感器及其实现方法和制备方法，属于传感器技术领域。该二维光子晶体包括一周期晶格的光子晶体，该晶体为一刻蚀有周期性分布空气孔的一层对水分子具有吸附效应的有机薄膜，在空气孔中设有疏水的高折射率介电圆柱，介电圆...

本发明提供一种在感应耦合等离子体（ＩＣＰ）刻蚀中保护刻蚀结构的方法，属于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）加工工艺技术领域。该方法在感应耦合等离子体ＩＣＰ干法刻蚀硅结构时，不将硅片刻蚀穿通，在硅结构上ＰＥＣＶＤ淀积氧化硅，各项同性刻蚀硅结构上表...

本发明公开了一种制备多级硅纳米器件的方法。该方法包括下述步骤的至少一个循环：１）用扫描探针显微镜对硅基片的待加工的Ｓｉ－Ｈ表面进行扫描探针氧化，得到纳米级氧化物图案；２）将步骤１）得到的带有氧化物图案的硅片置于各向异性腐蚀液中进行反应，...

本发明公开了一种可去除残余硅的体硅ＭＥＭＳ与ＣＭＯＳ电路集成的方法，其是在原有工艺步骤（６）之后，采取以下工艺步骤：（７）在硅片正面形成金属掩模层；（８）光刻定义出ＭＥＭＳ结构区，用腐蚀液腐蚀金属层，去除光刻胶；（９）在硅片背面形成金属...