本发明公开了一种制作准双栅ＭＯＳＦＥＴ晶体管的方法。本发明制作准双栅ＭＯＳＦＥＴ晶体管方法特出的优点是：源漏区内部牺牲区域的重掺杂是由以栅电极为掩模的离子注入而实现的，而源漏区与准体区的隔离层是通过腐蚀此牺牲区域的重掺层并填充以介质而形...

本发明提供一种无支架的半导体发光二极管，属于光电技术领域。该发光二极管包括ＬＥＤ芯片和封装用透明介质，ＬＥＤ芯片悬置于封装用透明介质内，ＬＥＤ芯片连接导线分别与两ＬＥＤ电极直接连接。本发明的ＬＥＤ芯片全部出光面的光都能导出，可实现３６０...

本发明提供一种准双栅ＭＯＳ晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路制造技术领域。该准双栅ＭＯＳ晶体管的特征在于，包括一在半导体衬底之上的埋置绝缘层，所述埋置绝缘层呈凹形结构；半导体源区和漏区分别嵌入所述凹形结构埋置绝缘层的两个突起内侧，而...

本发明提供了一种ＭＯＳ晶体管体区的掺杂方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该方法是在栅电极两侧形成狭缝，通过该狭缝进行体区的离子注入掺杂。本发明由于体区重掺杂是通过栅电极两侧的狭缝进行，因此，实现了重掺杂区域在沟道区两侧呈条状，该...

本发明提供一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括衬底和位于衬底之上的电阻器，该电阻器由底电极、顶电极和二者之间的绝缘体构成，所述绝缘体为纯的或掺杂其它金属元素的二氧化铈氧化物薄膜。其制备方...

本发明提供了一种电阻式随机存储器的存储单元及其制备方法，属于微电子半导体技术领域。该存储单元包括衬底和金属－绝缘体－金属（ＭＩＭ）结构电阻器，ＭＩＭ结构电阻器的顶电极为氮化钛，绝缘体为氧化锌薄膜。本发明由于采用了氮化钛／氧化锌组合结构，...

本发明提供了一种提高超深亚微米ＭＯＳＦＥＴ抗辐照特性的方法，属于场效应晶体管ＭＯＳＦＥＴ技术领域。该方法首先定义场效应晶体管器件的隔离区，并在该隔离区域刻蚀一个沟槽；然后，在所述沟槽内壁上淀积一绝缘介质层；最后淀积半导体材料填充上述沟槽...

本发明提供了一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该器件包括：源区、漏区和控制栅，控制栅采用栅叠层结构，其依次为底层一隧穿氧化层；中间层－阻变材料层，以及顶层－导电电极层。该场效应晶体管获得电...

本发明提供一种铬（Ｃｒ）掺杂的二氧化钛（ＴｉＯ↓［２］）（Ｃｒ↓［ｘ］Ｔｉ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２］）室温铁磁薄膜的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件制备领域。该方法首先采用溶胶－凝胶法制备Ｃｒ掺杂ＴｉＯ↓［２］溶胶，将溶胶旋涂在单晶硅衬...

本发明提供一种电阻式随机存取存储器的存储单元及其制备方法，属非挥发性存储器件技术领域。该存储单元包括：衬底和金属－绝缘－金属（ＭＩＭ）结构电阻器，ＭＩＭ结构电阻器中两金属作为顶电极和底电极，绝缘体为掺杂金属元素的二氧化钛氧化物薄膜。其制...

本发明提供了一种基于ＳＯＩ技术的集成微传感器的制备方法，属于微机电系统和集成电路技术领域。该方法基于Ｐｏｓｔ－ＣＭＯＳ或Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ－ＣＭＯＳ工艺，利用ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ工艺和ＳＯＩ微机械加工技术，在ＳＯＩ硅片上实现微传感器...

本发明提供了一类共轭树枝状分子的纯蓝光材料，以及采用这种蓝光材料作为发光层的有机电致发光器件。本发明的蓝光材料是以三聚茚为核、以反式１，２－二苯乙烯为桥联的共轭树枝状分子，通过三膦酸酯与三聚茚的单醛衍生物经过Ｈｏｍｅｒ－Ｗａｄｓｗｏｒｔ...

本发明提供了一种凹陷源漏场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术（ＵＬＳＩ）领域。该方法引入了外延工艺和采用牺牲层的办法，在衬底中引入两个“Ｌ”型的埋氧层结构。采用这种方法，器件工艺参数和物理参数诸如逆向掺杂浓度和深度、结深、凹...

一种利用异质界面两侧电学性能变化识别界面特性的方法，其步骤包括：　　　　（１）在异质界面的上层材料和下层材料上分别设置若干个电接点；　　　　（２）分别在异质界面的上层材料或下层材料上通电流；　　　　（３）通过测量上层材料和下层材料的随电...

本发明公开了一种制备纳米尺度间隙金属电极对的方法、属于纳米加工技术领域。该方法包括：首先制备一对微米尺度的金属电极对；在上述金属电极对上，引出两根金属丝，其中至少一根金属丝的材料应该采用金属活动顺序表中位于金属电极材料之前的金属；将电解...

本发明公开了一种边发射型ＬＥＤ的封装结构，包括ＬＥＤ芯片、基座、旋转抛物面的反光碗、透明介质支撑结构、锥顶角为θ的倒圆锥形结构、倒圆锥形结构表面的反光层，其中：所述旋转抛物面的反光碗位于基座内，所述ＬＥＤ芯片固定在反光碗底部，所述反光碗...

本发明提出了一种实现碳纳米管与金属电极间高性能接触的方法，由此得到具有稳定得高性能碳纳米管纳电子器件。本发明的以碳纳米管为基的纳电子器件采用金属钪作为与碳纳米管连接的电极。通过各种微加工技术把金属钪与碳纳米管连接起来即可实现高性能的接触...

本发明公开了一种双波长单芯片发光二极管，属于半导体照明领域和金属有机化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术领域。该器件包括若干个ｎ型接触层、两个有源层和若干个ｐ型接触层，上述ｎ型接触层、有源层和ｐ型接触层为相互叠加结构，所述两个有源层为不同光波...

本发明公开了一种耐高压的横向双扩散ＭＯＳ晶体管，属于微电子半导体器件领域。该器件包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂...

本发明公开了一种提高ＭＯＳＦＥＴ抗单粒子辐照的方法及一种ＭＯＳＦＥＴ器件，属于场效应晶体管技术领域。在本发明ＭＯＳＦＥＴ器件中，ＳＴＩ区沟槽侧壁与器件有源区上表面的锐夹角定义为，器件抗单粒子辐照所引起微剂量效应的角度，该角度取值在７８至...