本发明提供了一种单根碳纳米管电子场发射阴极及其制备方法，属于碳纳米管应用领域。用做电子场发射阴极的碳纳米管有一锥状端部，锥状端部为闭口的单壁或双壁管结构，所述锥状结构以下为多壁管结构。该碳纳米管的制备方法是用一金属丝获取多壁碳纳米管；用...

本发明提供了一种微机械锁存开关装置，由衬底、锚点、触头、挠性梁、检测质量块组成，其中，触头包括：顶触头、动触头和侧触头，所述侧触头分别位于所述动触头的两侧；挠性梁包括：顶触头挠性梁、动触头挠性梁、侧触头挠性梁以及检测挠性梁；所述触头及检...

本发明公开了一种基于金属钛的ＭＥＭＳ机械继电器的制备方法，属于微电子机械系统（ＭＥＭＳ）微加工技术领域。该方法包括：对钛基底光刻图形化，刻蚀形成浅槽；选择热膨胀系数与金属钛匹配的玻璃，在玻璃的表面制备金属连线；将钛基底和玻璃基底进行阳极...

本发明公开了一种硅、金属、介质膜桥ＲＦ ＭＥＭＳ开关，其活动桥由支架和硅梁、介质膜、金属膜（同时也是上电极）组成，介质膜制备在活动桥上，而不是制备在信号电极上。采用本发明的技术方案，消除了介质层制备在传输线上引起的信号传输损耗，减小Ｒ...

适于便携式核磁共振装置用的永磁体，由多块轭铁组成长方体形状轭铁体；一对永磁磁块安装在相对的上、下轭铁上，该对永磁磁块彼此相对的表面上分别安装极板，极板的另一表面装有匀场环。永磁磁块由钐钴永磁材料制成，极板和匀场环外缘均为等大的矩形形状。...

该发明为ＴｈＭｎ－［１２］型结构的稀土——铁永磁材料，成分为Ｒ（Ｆｅ－［１－ｘ］Ｍ－［ｘ］）－［１２］，其中Ｒ为稀土元素，Ｍ为第三元素，ｘ的数值介于０．１—０．３。在上述成分中可掺杂适量的（０％至３０％原子比）它种元素如Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ...

本发明通过氮气热处理工艺制造以Ｒ↓［２］Ｆｅ↓［１７］Ｎｘ，Ｒ（ＴｉＦｅ）↓［１２］Ｎｚ，Ｒ（ＶＦｅ）↓［１２］Ｎｚ等合金为基的高居里温度、高饱和磁化强度，高单轴磁晶各向异性的稀土－铁－氮新型永磁合金，亦可用此种工艺改善其它以稀土－铁为...

本发明属磁性材料领域，由式Ｒ↓［ｘ］Ｆｅ↓［１００－ｘ－ｙ－ｚ］Ｍ↓［ｙ］Ｎ↓［ｚ］，Ｒ↓［ｘ］Ｆｅ↓［１００－ｘ－ｙ－ｚ］Ｍ↓［ｙ］Ｃ↓［ｚ］及Ｒ↓［α］Ｆｅ↓［１００－α－β－γ－δ］Ｃ↓［β］Ｂ↓［γ］Ｎ↓［δ］表示的磁性材料，其...

一种多元稀土－铁间隙型磁性材料，该永磁材料用通式（Ｒ↓［１－α］Ｒ’↓［α］）↓［Ｘ］（Ｍｏ↓［１－β］Ｍ↓［β］）↓［ｙ］Ｆｅ↓［１００－ｘ－ｙ－ｚ］Ｉ↓［Ｚ］表示，Ｒ是轻稀土元素，Ｒ′是重稀土元素；Ｍ是周期表中的ⅢＡ，ⅣＡ，ⅣＢ，Ⅴ...

适于便携式核磁共振装置用的永磁体，由多块轭铁组成长方体形状轭铁体；一对永磁磁块安装在相对的上、下轭铁上，该对永磁磁块彼此相对的表面上分别安装极板，极板的另一表面装有匀场环。永磁磁块由钐钴永磁材料制成，极板和匀场环外缘均为等大的矩形形状。...

本发明公开了一种新的超顺磁性磁流体，该磁流体由下述重量份组分组成：四氧化三铁２～５份、海藻酸钠５～８份。该磁流体还可加入活性药物进一步制备为载药超顺磁性磁流体。本发明载药磁流体的制备方法为：把碱液加入到铁盐／亚铁盐混合溶液中，搅拌后将海...

本发明提供了一种具有各向异性的稀土永磁材料，具有Ｔｈ↓［２］Ｚｎ↓［１７］型晶体结构，以原子百分比所表示的成分为（Ｓｍ↓［１－α］Ｒ↓［α］）↓［ｘ］Ｆｅ↓［１００－ｘ－ｙ－ｚ］Ｍ↓［ｙ］Ｉ↓［ｚ］，式中：Ｒ是Ｐｒ或Ｐｒ与其它稀土元素的...

本发明利用特定的速凝薄片技术制造以钕（或镨）铁为基的合金，然后通过气－固相反应后粉碎制造磁粉Ｒ↓［ｘ］Ｆｅ↓［１００－ｘ－ｙ－ｚ］Ｍ↓［ｙ］Ｉ↓［ｚ］，该磁粉为平均粒度１－３μｍ的片状单晶颗粒。利用本工艺所制备的磁粉，不仅具有在外磁场作...

本发明提供一种室温铁磁掺钴氧化钛稀磁半导体材料的制备方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先将Ｔｉ氧化物和Ｃｏ氧化物进行混合，采用固相烧结反应法制备Ｃｏ↓［ｘ］Ｔｉ↓［１－ｘ］Ｏ↓［２］材料，然后将Ｃｏ↓［ｘ］Ｔｉ↓［１...

一种导电高分子－碳纳米管纳米电缆，由导电高分子壳和碳纳米管核组成，所述纳米电缆的直径在１００纳米以下，长度为微米级。

本发明提供了一种溶解核燃料氧化物的方法和核燃料纯化方法，经氧化剂氧化或阳极电化学氧化的方法将核燃料氧化物溶解在含卤族阴离子的离子液体中，然后，通过电沉积的方法可将核燃料从离子液体中分离出来。利用该过程有可能实现乏燃料中有用的核燃料与其它...

本发明提供一种利用深亚微米ＣＭＯＳ标准工艺实现的ＥＥＰＲＯＭ电平转换电路及方法。该电平转换电路完全采用ＣＭＯＳ标准工艺参数，利用两对ＰＭＯＳ管与ＮＭＯＳ管对电压进行钳位，从而保证了电路中所有的ＭＯＳ管栅漏电压差｜Ｖ↓［ｇｄ］｜或栅源电压...

本发明提供一种现场可编程门阵列中ＲＡＭ的三维读写方法，属于通讯技术领域，该方法包括：（１）ＲＡＭ的总数据个数Ｌ＝Ｘ＊Ｙ，将现场可编程门阵列中ＲＡＭ的数据结构构造成长方体；（２）长方体沿ａ方向的高度为Ｗ，沿ｂ方向的长度为Ｘ或Ｙ，沿ｃ方向的...

本发明公开了一种验证非挥发存储器电路功能的方法。该方法从非挥发存储器的存储单元的存储特性和物理方程出发，推导出存储器的存储单元的Ｉ－Ｖ特性；基于上述存储器的存储单元的Ｉ－Ｖ特性，设计出与该存储器的存储单元相同电学特性的成熟工艺可制造的替...

本发明涉及一种封闭型双层纳米碳管分子级存储单元，包括：内外管均封闭的双层纳米碳管，平放于绝缘基体之上，且内层碳管的长度小于外层碳管；第一、第二电极，沉积于所述双层纳米碳管的前后两端，且电极平面与碳管的轴向垂直；在所述第一、第二电极间的电...