本发明公开了一种有机半导体化合物及其制备方法与应用。本发明所提供的有机半导体化合物之结构式如式Ⅰ所示，其中，Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］为式Ⅱ结构的氰基乙酸酯亚基或Ｏ原子，且Ｒ↓［１］、Ｒ↓［２］、Ｒ↓［３］不同时为Ｏ原子；式Ⅱ中...

本发明提供了一种常规源端抬高漏端的肖特基势垒源漏ＭＯＳ晶体管及其制作方法。所述ＭＯＳ晶体管的源漏具有不对称结构，选择两种不同的金属材料，通过两次金属硅化反应，控制反应时间，可以获得高度不同的肖特基势垒源漏。通过选择不同的肖特基势垒组合，...

本发明提供了一种新结构的ＭＯＳ晶体管，其特征在于所述ＭＯＳ晶体管具有不对称的源漏结构，源端采用金属或金属和半导体形成的化合物与沟道形成肖特基接触，漏端采用抬高的高掺杂漏。本发明的ＭＯＳ晶体管的源漏寄生电阻比传统的ＭＯＳＦＥＴ器件小得多，...

本发明公开了一种多孔硅片及其制备方法（Ｓｉｌｉｃｏｎ　　ｏｎ　　Ｐｏｒｏｕｓ－ｓｉｌｉｃｏｎ，ＳＯＰ）。本发明所提供的多孔硅片，包括位于正面的硅层和与硅层一体成型的多孔硅层。本发明利用多孔硅电化学加工技术在硅衬底上生长多孔硅能够有效提高...

本发明公开了一种生长高阻ＧａＮ薄膜的方法。本发明方法是在ＭＯＣＶＤ设备中进行的，包括烘烤、成核、退火和外延生长阶段，其中，在退火阶段，退火压力在７５托以下。本发明方法通过降低退火阶段的反应室压力（称为退火压力）来增加成核岛密度，从而增加...

本发明提出一种织构化薄膜转印提高半导体发光二极管出光效率的方法，具体包括以下步骤：研制出传统的半导体发光二极管；将半导体发光二极管管芯倒装焊；制作微纳米图形转印和织构化薄膜：用设计好的光刻版图制作微纳米图形的模板；选用和配制适当比例的一...

本发明公开了一种制备光子晶体或光子准晶的方法，包括如下步骤：１）根据需要，设计出具有周期性二维光子晶体或准周期性光子准晶的图形结构；２）将待加工样品固定在聚焦离子束系统的样品台上，使其与样品台形成良好的电学接触和机械稳定性；３）在样品的...

本发明公开了制备碳纳米管电子器件的方法，该方法包括如下步骤：１）使碳纳米管分布在绝缘电介质层基底表面；２）在绝缘电介质层基底上镀上金属薄膜；３）在金属薄膜上形成图案化的自组装单层膜；４）刻蚀；５）后处理。与文献中已有的方法比较，本发明方...

本发明提供一种室温稀磁宽禁带半导体氧化锌掺钴材料的方法，属于新型半导体自旋电子器件材料制备领域。该方法首先采用固相烧结法制备ＺｎＯ中掺入Ｃｏ杂质，即将高纯的ＺｎＯ粉末和钴的氧化物粉末按一定的成份配比混合后，使用行星式球磨机在玛瑙罐中混料...

本发明提供一种双硅纳米线围栅场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道是完全相同的剖面结构为圆形的双硅纳米线，双硅纳米线被栅氧和多晶硅栅围绕，形成...

本发明提供了一种双鳍型沟道围栅场效应晶体，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底，沟道被栅氧和多晶硅栅围绕、形成围栅结构，源和漏都与体硅衬底相连，沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Ｆ...

本发明提供了一种双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于体硅衬底；沟道为两个完全相同的截面为长方形的鳍型Ｆｉｎ，形成双鳍型沟道；每个鳍型沟道的外侧为栅...

本发明提供了一种三维双鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，该场效应晶体管基于双ＳＯＩ衬底，上下两层硅膜的沟道的截面各有两个相同的长方形的鳍型Ｆｉｎ，上层的双鳍型沟道与其对应的下层的双鳍型沟道自对准、且宽度相同；每个双鳍型沟道的外...

本发明提供一种电调制改变异质结构薄膜样品电阻的实现方法，即将导电电阻薄膜设置在低电阻的半导体衬底上，通过施加并调制垂直于半导体和导电电阻薄膜之间界面的电压，改变导电电阻薄膜的水平方向电阻值。本发明还提供一种电调制改变电阻的器件，包括导电...

本发明提供一种转换光信号的方法，属于光信号技术领域。该方法包括：在有机发光二极管ＯＬＥＤ器件的电荷迁移率相对较小的载流子传输层中掺入光敏剂，形成电荷载流子陷阱，且所述光敏剂与ＯＬＥＤ器件的入射光的波长相匹配；当入射光照射到ＯＬＥＤ器件上...

本发明提供了一种分裂槽栅快闪存储器及其制备方法，属于超大规模集成电路中的非挥发性半导体存储器技术领域。该快闪存储器基于平面结构，其沟道的两端与ｎ＋源和漏之间，各有一个完全相同的沟槽，沟槽的正下方包括一部分的沟道和一部分的ｎ＋源或漏；沟道...

本发明公开了一种制备ＧａＭｎＮ稀磁半导体纳米线的方法。本发明方法，包括如下步骤：１）Ｍｎ掺杂：在Ｇａ↓［２］Ｏ↓［３］纳米线上原位掺杂Ｍｎ；２）氨化：将掺有Ｍｎ的Ｇａ↓［２］Ｏ↓［３］纳米线在氨气气氛下进行氨化，得到ＧａＭｎＮ稀磁半导体...

本发明提供一种利用选择外延工艺制备鳍形场效应晶体管的方法，属于半导体集成电路制造技术领域。该方法采用ＳＯＩ晶片为衬底，首先在衬底表面生长一层薄介质层，然后进行光刻和刻蚀薄介质层和ＳＯＩ的半导体膜层形成半导体条，对该半导体条的中间部分进行...

本发明提供一种部分耗尽的ＳＯＩ　　ＭＯＳ晶体管的制备方法，属于半导体集成电路制造技术领域。部分耗尽ＳＯＩ　　ＭＯＳ晶体管的特征是，埋置绝缘层为凹形结构，沟道位于凹陷处，沟道区的上部轻掺杂或未掺杂，沟道区下部重掺杂。本发明针对上述ＳＯＩ　...

本发明公开了一种制作ＦｉｎＦＥＴ晶体管的方法，是选用晶向为（１１０）的ＳＯＩ（ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　　ｏｎ　　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）晶片为衬底材料，用各向异性的腐蚀方法腐蚀该ＳＯＩ材料的半导体层形成一侧面光滑且垂直于表面的半导体条，...