本发明公开了一种射频平面螺旋集成电感的加工方法，包括，在制作完的电感的硅片的正面引出电极引线，并将其整体用防ＨＦ酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，背面的胶带上留有小孔；将制好的电感固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将所述硅片上的电极引线接腐蚀电路的阳...

本发明公开了一种ＳＯＣ硅衬底的加工方法，包括：将制作完电路的硅片从带电路一面引出电极引线，并用防ＨＦ酸腐蚀的绝缘胶带双面密封，其中不带电路一面的胶带上留有小孔，即是要腐蚀的区域；将制作好的硅片固定于腐蚀槽中的硅片支架上，将硅片上的电极引...

一种多晶硅栅刻蚀的方法及基于该方法的ＩＣＰ刻蚀条件来制备超细线条的方法。具体是在硅衬底上依次形成氧化层、多晶硅，并在该多晶硅上面涂置光刻胶层；再通过光刻去除将被刻蚀多晶硅表面的胶层；用对设备危害很小的ＳＦ↓［６］气体进行ＩＣＰ刻蚀，通过...

本发明公开了一种体硅集成ＭＥＭＳ技术中超深隔离槽开口形状的控制方法及产品，其技术方案为：首先在硅片表面淀积多晶硅作为牺牲层，再进行深槽刻蚀，刻蚀后将多晶硅牺牲层去掉。（１）在硅片表面形成ＳｉＯ↓［２］牺牲层；（２）光刻定义槽图形，ＢＯＥ...

本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了闪存的存储密度。...

本发明提供一种利用不同频率的光信号实现逻辑器件选址的方法，属于分子器件和纳米器件领域。该方法包括：首先不同频率光电响应的材料按照串联的方式组成器件，将不同的频率成分组合的器件作为逻辑地址，以串联、并联或其他方式连接于电极两端，形成集成电...

一种集成电感，包括：Ｓｉ衬底层、ＳｉＯ↓［２］氧化层、电感线圈和多个外接压焊块；　　　　所述的ＳｉＯ↓［２］氧化层设置于Ｓｉ衬底层上，电感线圈和多个外接压焊块设置于ＳｉＯ↓［２］氧化层上；　　　　其特征在于：所述的Ｓｉ衬底层刻蚀有多个平...

本发明提供一种基于体硅上的部分准ＳＯＩ－ＦｉｎＦＥＴ器件的制备方法，属于ＣＭＯＳ超大规模集成电路制造技术领域。该方法包括：首先在体硅片上，离子注入对源漏进行掺杂，形成有源区；接着刻蚀ｆｉｎ区，和源漏区形成“工”字型的图形；然后淀积氮化硅...

本发明提供一种准ＳＯＩ场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路技术（ＵＬＳＩ）领域。该方法首先采用常规的工艺方法，实现浅槽隔离，沉积并刻蚀栅材料及上面覆盖的硬掩膜材料，形成栅区，接着制备栅侧墙保护栅区；第二步刻蚀源漏区的硅至一定深度...

一种立体集成电感，其特征在于：包括衬底层、二氧化硅介质层和单方向绕行立体螺旋的金属线圈；　　　　所述的二氧化硅介质层设置在衬底层上；所述的底层平行金属线设置在衬底与二氧化硅介质层之间，顶层平行金属线设置在二氧化硅介质层上；　　　　所述的...

本发明公开了一种硅衬底纳米氧化锌及其制备方法和应用，本发明提供的硅衬底纳米氧化锌，由硅衬底及均匀定向生长在硅衬底上的纳米氧化锌组成，所述纳米氧化锌具有六方相的晶相，所述纳米线的直径为８０－１２０纳米，长度为１－１００微米。本发明提供的制...

本发明提供了一种闪存存储单元的浮栅及其制备方法和一种闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用异质结浮栅结构，在横向上分别采用Ｐ↑［＋］Ｎ↑［＋］Ｐ↑［＋］不同掺杂的多晶硅或者宽禁带材料＋窄禁带...

本发明提供了一种硅台型垂直沟道场效应晶体管的隔离工艺，属于ＣＭＯＳ超大规模集成电路制造技术领域。其步骤包括：第一次刻蚀出有源区硅台之后，用氮化硅保护有源区硅台的表面和侧壁，然后再局部氧化场区完成隔离工艺，通过在后续的制备硅台型垂直沟道器...

本发明提供了一种提高信息安全集成电路的可测性与安全性的方法，属于集成电路设计技术领域。该方法对需要进行观察的测试点通过连线连接到可以用探针进行探测的探测点上，这些探测点和连线没有改变原来的逻辑，在不影响集成电路的可控制性情况下，提高了集...

本发明提供了一种两端存储信息的双位闪存单元的读取方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的双位闪存读取方法相比，本发明通过衬底和位线的电压组合，在存储单元的沟道内形成足够宽的耗尽层，实现了能够有效读取双位闪存单元中任何一位信息的功...

本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的ＭＯＳＦＥＴ晶体管的方法，是在衬底材料上按照常规ＭＯＳＦＥＴ工艺形成栅电极图形后，以栅电极图形为掩模进行离子注入掺杂，在源漏处形成表面低掺杂的表面层和内部高掺杂的隐埋层。再在栅电极两侧形成侧墙，并以...

本发明公开了一种制备源漏位于绝缘层上的ＭＯＳＦＥＴ晶体管的方法，是通过扩散或离子注入以及外延工艺，在半导体衬底表面形成低掺杂层，并在其下形成高掺杂的隐埋层，再利用对掺杂的选择腐蚀技术将源漏底下的高掺杂区腐蚀掉，之后用介质填充腐蚀后留下的...

本发明提供一种差分式隧道加速度计，具体公开该差分式隧道加速度计的结构及其制备方法。本发明的差分式抗高过载隧道加速度计，包括玻璃衬底，玻璃衬底上电信号连接引线，玻璃衬底通过锚点与支撑梁，固定梳齿电极和隧尖相连接。支撑梁与质量块、可动梳齿电...

本发明涉及一种对等离子体刻蚀进行定量监测的方法及监测结构，其是在被刻蚀的硅片上设置一包括可动电极和固定电极的监测结构，监测结构包括一可动电极和一固定电极，当需要对硅片的刻蚀进行控制时，通过多次刻蚀和测量所述监测结构两电极间的侧向吸合电压...

本发明提供了一种射频电感的制备方法，属于电感加工技术领域。该方法包括：首先以绝缘体作为衬底，在衬底上制作金属电极，在硅片上刻出锚点，然后通过该锚点将硅片和衬底键合，硅片和绝缘体键合后，采用感应耦合等离子体刻蚀、释放电感螺线结构，最后对电...