本发明属于染料敏化太阳能电池材料领域，涉及一种纳米晶膜太阳能电池电极及其制备方法，以宽禁带半导体纳米晶膜为基底，在该基底表面吸附一层金属离子，再在金属离子吸附层上吸附光敏化剂。通过金属离子的表面修饰，该纳米晶膜电极在纳米晶表面形成了一个...

本发明涉及一种微机电系统器件的真空封装方法，采用了蒸镀的方法，在一批多个封装外壳内壁的一部或全部同时建立吸气薄膜结构，能有效吸附真空封装过程中释放的残余气体和器件寿命期漏入或内部结构放出的气体，从而起到维持真空的作用。其有效面积大，吸气...

本发明涉及一种高亮度氮化物白光发光二极管及其制备方法，采用氮化物发光二极管芯片作为激发光源，将透明树脂涂覆固化在芯片和金丝上，形成球冠形，再涂覆一层透明树脂和掺铈钇铝石榴石荧光粉的混合物，最后用透明树脂常规封装。这种白光发光二极管可以改...

本发明涉及一种微电子工艺中的金属剥离方法。本发明是用光刻胶做掩膜，在常规曝光以后，用氯苯浸泡几分钟，在显影之前做坚膜处理，再略加过显影，使光刻胶图形呈倒角悬垂。这时根据需要进行衬底腐蚀。在此基础上淀积金属膜，用丙酮浸泡去掉光刻胶和多余的...

本发明涉及一种多晶硅作源端的具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明的垂直沟道场效应晶体管，其特征在于用多晶硅作器件的源端。有效的节省了有源区的面积，更好的控制了器件的沟道长度，工艺中降低了硅台刻蚀的高度，避免了多晶硅刻蚀...

本发明涉及一种具有垂直沟道结构的场效应晶体管，及它的制备方法。本发明在现有垂直沟道场效应晶体管的漏端增加ＬＤＤ结构，在源端形成Ｈａｌｏ结构；即，对于ｎ型管，在漏端与沟道之间增加一个ｎ↑［－］区，在源端与沟道之间增加一个ｐ↑［＋］区；对于...

本发明提供了一种利用侧墙和多晶硅固相扩散制作纳米ＣＭＯＳ器件的方法，属于超大规模集成电路技术领域。该方法依次包括以下步骤：设计单元版图；器件隔离、栅氧化和栅多晶硅淀积，此步骤之前根据需要制作阱；利用侧墙转移实现栅线条；淀积二氧化硅，随后...

本发明涉及一种微电子机械加工方法。将ＭＥＭＳ技术的发展分为器件结构设计和工艺加工两大方向，包括硅片工艺部分，ＰＹＲＥＸ７７４０或ＨＯＹＡＳＤ２玻璃片上的工艺部分和组合工艺部分。采用了先进的对准静电键合和高深宽比硅刻蚀技术；但整体工艺结...

本发明涉及一种体硅ＭＥＭＳ器件集成化方法。本方法包含集成电路加工（可在任何集成电路生产线上完成）、ＭＥＭＳ器件结构加工和集成化三部分。将复杂的集成化工艺技术分解为三个独立的工艺部分部分，集成电路加工（可在任何集成电路生产线上完成）、ＭＥ...

本发明涉及一种高深宽比硅深刻蚀方法。采用具有双路气体自动切换功能的英国ＳＴＳ公司生产的ＳＴＳＭｕｌｔｉｐｌｅｘＩＣＰ高密度等离子刻蚀系统，采用如下的工艺条件：离子源功率：６００Ｗ，承片台功率：１２～１４Ｗ，刻蚀气体流量：９５ｓｃｃｍ...

本发明涉及一种多层高深宽比硅台阶深刻蚀方法。在深刻蚀之前就将各次深刻蚀掩膜制备完成，每进行一次深刻蚀后去掉一层掩膜再进行下一次深刻蚀的多层深台阶刻蚀。不仅能够在硅片表面（Ｘ－Ｙ二维平面）内做出不同的图形结构，在垂直于硅片表面的（Ｚ轴）方...

本发明提供了一种利用氢氦联合注入制备场效应晶体管的方法，先在硅片上热氧化形成注入掩蔽氧化层，然后联合注入氢气和氦气，再在高温条件下退火形成空洞层；去掉掩蔽氧化层，然后在空洞层之上的硅膜上采用常规ＣＭＯＳ工艺制备出场效应晶体管。本发明提出...

本发明提供了一种包含剂量效应的离子注入高速模拟方法，是将分裂方法和剂量效应相结合，具体是虚离子、实离子交替注入模拟，直至完成所有实离子的注入。本发明的方法一共只进行一次模拟实验，注入离子被人为地划分为实离子和虚离子，实离子模拟级联碰撞，...

本发明提供了一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法。场效应晶体管，包括源漏、栅介质、栅电极、沟道和衬底，在源漏和衬底之间有垂直于沟道方向的第一介质隔离层，该第一介质隔离层顶端与沟道表面之间为源漏和沟道的连接部；在源漏底部和衬...

一种半导体快闪存储器，为一ＭＯＳ晶体管，包括硅衬底及其上的绝缘介质层、源／漏区、沟道区、隧穿介质层、阻挡介质层、控制栅和浮栅，其特征在于：所述沟道区为所述绝缘介质层上一垂直于所述硅衬底的硅墙；所述沟道区左右两侧依次纵向排列隧穿介质层、浮...

背栅ＭＯＳ晶体管，包括栅电极，侧墙介质层，栅介质层，源漏重掺杂区和源漏轻掺杂区构成的源漏区，沟道区，其特征在于，所述源漏区和沟道区掺杂与所述栅电极相互自对准；所述源漏区的重掺杂区与沟道区之间存在与所述栅电极自对准的且对称的轻掺杂区；所述...

感应源漏扩展区ＭＯＳ晶体管，包括感应源漏区栅极、栅电极、沟道区、源漏区，其特征在于，所述感应源漏区栅极采用倒置多晶硅侧墙充当，源漏扩展区是利用倒置多晶硅电学感应产生，同时所述沟道区处于两个倒置多晶硅侧墙之间，利用两个倒置多晶硅侧墙中间的...

一种制备ＳＯＮ型场效应晶体管的方法，其特征在于包含以下步骤： （１）形成有源区； （２）利用氦或者氢氦联合注入经退火在有源区下面形成空洞层； （３）制备栅介质、栅电极、源漏扩展区、侧墙； （４）离子注入对源漏进行...

一种制备单电子器件的方法，包括碳纳米管的制备、电极的设计制备及通过组装和纳米加工构成器件，其特征是利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件，通过在生长过程中控制地在一维纳米结构中引入势垒，改变纳米管的电学性质，使单电子器件工作温度提高到...

本发明公开了一种将单片ＣＭＯＳ与体硅微机械系统集成的方法，其技术方案为：１）形成隔离槽：采用深槽刻蚀，ＳｉＯ↓［２］和多晶硅填充，实现ＭＥＭＳ结构和ＣＭＯＳ电路的绝缘；２）完成隔离槽后进行标准ＣＭＯＳ电路的加工；３）用ＳｉＯ↓［２］和Ｓ...