本发明提出一种将碳纳米管应用于能源领域的新方法，利用纳米材料的“超级光吸收效应”，以及水在碳纳米管中的特殊存在状态，对含水的碳纳米管体系施加光照射，产生氢气（Ｈ↓［２］）、一氧化碳（ＣＯ）、甲烷（ＣＨ↓［４］）、乙烷（Ｃ↓［２］Ｈ↓［６...

本发明公开了一种超微粉合金颗粒材料及其应用，目的是提供一种超微颗粒并将其用作锂离子电池负极材料。该方法是在氩气等惰性气氛中用电弧加热熔炼金属得到合金，然后在氢气和惰性气体的混合气氛下，通过控制电弧电流、电弧电压和气氛总压力等，使合金开始...

本发明基于半导体光催化剂的光催化性能开发出一种燃料电池，定义为光燃料电池，其阳极具有半导体光催化剂，并提供电子供体，而在阴极提供电子受体。半导体光催化剂被可见光和／或紫外光照射激发产生光生电子，光生电子通过外电路传导到阴极，并在阴极上与...

本发明提供了一种体硅ＭＯＳ晶体管结构及其制作方法。该体硅ＭＯＳ晶体管，包括一栅电极，一栅介质层，一对栅电极侧墙介质层，一半导体体区，一源区和一漏区；栅电极位于栅介质层之上；栅介质位于半导体体区之上；半导体体区在栅电极两端的部分分别与源区...

本发明提供了一种浮栅闪存场效应晶体管，属于微电子半导体技术领域。该浮栅闪存场效应晶体管包括：源区、漏区、体以及顶栅，顶栅由多晶硅控制栅和浮栅组成，浮栅与控制栅、浮栅与体之间均设有栅氧，在顶栅的对面增加设置一背栅，背栅为掺杂的单晶硅，该背...

一种比较理想的新型的全耗尽垂直沟道双栅场效应晶体管，具有如下特点：是一种全耗尽的垂直沟道双栅结构；沟道长度和沟道硅膜厚度都能不依赖于光刻技术，这两个关键尺寸都可以被精确而均匀控制；而且可以在单位面积上实现两个并联的全耗尽垂直沟道双栅结构...

本发明提供了一种ＮＲＯＭ闪存存储单元，属于非挥发性半导体存储器技术领域。该存储单元是由控制栅、源漏区、隧穿氧化层、存储数据的氮化硅层以及阻止氧化层组成，在控制栅的不同区域注入不同类型杂质，靠近源端和漏端的控制栅注入Ｎ型杂质，形成Ｎ↑［＋...

本发明提供了一种闪存存储单元及其制备方法，属于非挥发性半导体存储器技术领域。与传统的闪存存储单元相比，本发明采用两层氮化硅作为浮栅，在横向和纵向上分别存储两位数据，实现了每个闪存存储单元能存储四位数据的功能，大大地增加了闪存的存储密度。...

本发明提供了一种鳍型沟道双栅多功能场效应晶体管及其制备方法，属于超大规模集成电路中的金属氧化物半导体场效应晶体管技术领域。该场效应晶体管基于ＳＯＩ衬底，沿沟道垂直方向，沟道的截面为长方形的鳍型Ｆｉｎ，形成鳍型沟道；鳍型沟道的一侧为栅氧和...

本发明提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能ＣＭＯＳ电路的制备和集成的方法。本发明的ＣＭＯＳ电路中的ｐ型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，ｎ型场...

本发明提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：（１）在ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ衬底上构建多个凸起和／或凹陷的微纳结构；（２）在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳...

本发明提供一种单壁碳纳米管器件集成方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：（１）超长单壁碳纳米管阵列排布在异质基底上；（２）异质基底调控单壁碳纳米管的能带结构，沿管轴方向将碳纳米管进行切割，形成ｎ型纳米管段、ｐ型纳米管段、金属型纳米管...

本发明公开了一种硅片表面图形刻蚀方法，包括如下步骤：１）在硅片表面沉积氮化硅层，然后，刻蚀氮化硅层，在硅片表面形成刻蚀区域；所述刻蚀区域的尺度为０．５－４微米；２）将所述带有刻蚀区域的硅片固定于加有腐蚀液的腐蚀槽中，通电进行阳极氧化反应...

本发明公开了一种自对准栅结构纳米场效应晶体管及其制备方法，以一维半导体纳米材料作为导电通道，其两端分别是源、漏电极；用原子层沉积方式生长栅介质层，覆盖在源、漏电极之间，以及源、漏电极相对面的侧壁和部分源、漏电极上；在栅介质层上再通过蒸发...

一种场效应晶体管器件，包括源区、漏区、栅区和沟道区；其中，所述栅区和沟道区均位于所述源区和漏区之间，所述栅区位于所述沟道区之下，所述构成栅区的材料为硼掺杂的导电硅；其特征在于：所述构成源区和漏区的材料为石墨烯，所述构成沟道区的材料为稠环...

本发明提供了一种共轭树枝状电致纯红光材料及其制备方法和应用，该材料是一种以卟啉为核、以三聚茚为桥联、以寡居芴为天线分子的共轭树枝状分子，其结构如式Ａ所示，通过三聚茚的单醛基衍生物与吡咯进行Ｌｉｎｄｓｅｙ缩合反应得到。本发明在卟啉分子的间...

一种在线淀积ＬＰＣＶＤ多晶硅石英系统保护层装置，属于半导体集成电路制造工艺中的低压化学汽相淀积技术。现有淀积技术在石英管管壁上未淀积保护层，当管壁上所淀多晶硅薄膜的厚度大于５．５μ时，在遇上较大的温度变化时（如断电）石英管较高温区部位就...

本发明提供了一种利用电学调整改变氧化物材料物理性质的方法。该方法包括：选择弱导电氧化物材料作为待改变氧化物材料，该氧化物材料的电阻率在１ｘ１０↑［－４］至１ｘ１０↑［９］Ω．ｃｍ范围内；在待改变氧化物材料的一侧或两侧沉积氧化物绝缘薄膜，...

本发明公开了一种薄膜型ＬＥＤ制备方法，属于半导体芯片制备技术领域。本发明通过在外延层上激光划片得到锲型凹槽，然后利用反应离子刻蚀得到侧面倾斜的Ｐ型梯形台面，接着在该梯形台面上制备ｐ型欧姆接触和反射电极，在除电极外的其余部分制备绝缘钝化层...

本发明公开了一种用于三维系统级封装的垂直互连过孔及其制备方法，属于微电子封装技术领域。该垂直互连过孔的形状为上、下两部分分别为一圆台，中间部分为一圆柱。其制备方法包括，利用带倾角的ＤＲＩＥ工艺、标准ＤＲＩＥ工艺以及ＤＲＩＥ工艺固有的ｆｏ...