单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法技术

本发明专利技术提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：（１）在ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ衬底上构建多个凸起和／或凹陷的微纳结构；（２）在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管阵列；（３）碳纳米管阵列搭在微纳结构上，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。碳纳米管与微纳结构相互作用，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。本发明专利技术可以高效、可控的实现大量碳纳米管的轴向能带调控，可与现行的半导体工业兼容，为碳纳米管器件制备和集成提供了技术支持，具有广阔的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于纳电子器件
，尤其是一种单壁碳纳米管轴向能 带调控的实现方法。
技术介绍
单壁碳纳米管具有独特的结构和优异的电学、机械性能，其合成、 性质及应用是近二十年来科学界和产业界共同关注的问题。单壁碳纳米 管在纳电子器件领域展现出广阔的应用前景，有希望替代硅成为大规模 集成电路的核心材料。单壁碳纳米管的结构决定其能带结构，能带结构又决定其电学、力 学等性质，性质又进而决定其应用。可控的获得特定性质的单壁碳纳米 管是碳纳米管器件实用化的关键，但至今还没有找到通过生长控制单壁 纳米管结构的有效途径。在这种情况下，对生长得到的单壁碳纳米管进 行能带调控实现其性质的可控成为研究热点。目前，对单壁碳纳米管进行能带修饰的方法包括通过气体吸附实现化学掺杂或利用扫描探针显 微镜使单壁碳纳米管发生形变。这两种方法将单壁碳纳米管生长和能带 调控两个过程分开，化学掺杂的稳定性差，利用扫描探针显微镜操纵效 率低、效果不明显，这两种技术都与现行的半导体工艺不兼容，无法高 效、快速实现单壁碳纳米管能带的可控调节。
技术实现思路
针对上述现有技术所存在的问题和不足，本专利技术的目的是提供一种 。本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，其步骤包括：（１）在ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ衬底上构建多个凸起和／或凹陷的微纳结构；（２）在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管阵列；（３ ）碳纳米管阵列搭在衬底上的微纳结构上，使得碳纳米管的能带结构沿轴向被调控。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘忠范，焦丽颖，现晓军，张莹莹，张锦，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]