铁电半导体存储器的制法制造技术

开关晶体管（２）在半导体衬底（１）上形成，绝缘层（４）沉积在开关晶体管（２）上，随后在绝缘层（４）上形成具有铂电极（７，９）和铁电或仲电介质（８）的存储电容器。为了在进一步的工艺步骤中防止氢进入介质（８），第一壁垒层（５）置入到绝缘层（４）内，并在制成存储电容器之后，淀积本身与第一壁垒层（５）连接的第二壁垒层１０。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体部件的制法。本专利技术尤其是涉及具有一只开关晶体管和一只存储电容器的非易失型存储器单元的制法，该存储电容器极片包含铂类金属，并且再极片间用铁电或仲电材料作为介质。传统的微电子半导体存储器部件(DRAM)主要由一只选择晶体管或开关晶体管和一只存储电容器构成，其中在两电容器极片之间插入介电材料。通常多半用具有介电常数最大约为8的氧化物层或氮化物层作介质。为了缩小存储电容器以及为了制造非易失型存储器，需要具有显著高的介电常数的“新型的”电容器材料(铁电体或仲电体)。在W.Hnlein著的出版物“Neue Dielektrika fürGbit-Speicherchips(吉比特存储器芯片用新介质)”，Phys.B1.55(1999)中列举了一些这种材料。为了制造这类高集成度非易失型半导体存储器部件用的铁电电容器，可以应用例如铁电材料如SrBi2(Ta,Nb)2O9(SBT或SBTN),Pb(Zr,Ti)O3(PZT)，或Bi4Ti3O12(BTO)作为介质插入电容器极片之间。但是它也可以使用仲电材料，例如(Ba,Sr)TiO3(BST)。然而，这种新型介质，铁电本文档来自技高网...

【技术保护点】
半导体部件的制法，其中，ａ）．在半导体衬底１上形成开关晶体管（２），ｂ）．在开关晶体管（２）上沉积绝缘层（４），其中插入尤其是防止氢扩散的第一壁垒层（５），ｃ）．与开关晶体管（２）耦合的存储电容器沉积到绝缘层（４）上，该电容器包 含下电极（７）、上电极（９），其间淀积含氧化物金属的层（８），ｄ）．在垂直腐蚀步骤中，在存储电容器外直到一定深度为止去除绝缘层（４），其中，第一壁垒层向外露出，ｅ）．尤其是防止氢渗透的第二壁垒层（１０）沉积到存储电容器和绝缘层（４） 以及第一壁垒层（５）上。

【技术特征摘要】
DE 2000-1-3 10000005.31．半导体部件的制法，其中，a)．在半导体衬底1上形成开关晶体管(2)，b)．在开关晶体管(2)上沉积绝缘层(4)，其中插入尤其是防止氢扩散的第一壁垒层(5)，c)．与开关晶体管(2)耦合的存储电容器沉积到绝缘层(4)上，该电容器包含下电极(7)、上电极(9)，其间淀积含氧化物金属的层(8)，d)．在垂直腐蚀步骤中，在存储电容器外直到一定深度为止去除绝缘层(4)，其中，第一壁垒层向外露出，e)．尤其是防止氢渗透的第二壁垒层(10)沉积到存储电容器和绝缘层(4)以及第一壁垒层(5)上。2．根据权利要求1所述的方法，其特征为-通过以下方式开关晶体管(2)与存储电容器连接，即在绝缘层(4)沉积后在其内腐蚀一接触孔(3)，直到开关晶体管(2)的源区或漏区并充填导电材料，以及-下电极(7)在接触孔(3)上方沉积。3．根据权利要求2所述的方法，其特征为-在填充接触孔(3)之前，在其内壁上用尤其是防止氢渗透的第三壁垒层(5A)加衬。4．根据权利要求1所述的方法，其特征为-在工艺步骤d)，去除绝缘层(4)直到第1壁垒层(5)的深度，其中在必要时第一壁垒层(5)用作腐蚀阻挡层。5．根据权利要求1所述的方法，其特征为-在工艺步骤d)，去除绝缘层(4)直到在第一壁垒层(5)以下的深度。6．根据上述权利要求之一...

【专利技术属性】
技术研发人员：W哈特纳，G欣德勒，M卡斯特纳，C德姆，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]