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本发明提供一种单壁碳纳米管轴向能带调控的实现方法，属于纳电子器件技术领域。该方法包括：（１）在ＳｉＯ↓［２］／Ｓｉ衬底上构建多个凸起和／或凹陷的微纳结构；（２）在衬底的一端采用微接触印刷法沉积催化剂，利用化学气相沉积方法生长超长单壁碳纳米管...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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