集成肖特基二极管制造方法技术

本发明专利技术公开了一种集成肖特基二极管制造方法，低掺杂漏侧墙形成后低压化学气相淀积氧化膜，在Ｎ型源漏及Ｐ型源漏光刻、注入后进行氧化膜干法刻蚀，在源漏氮气推进后期生长一薄热氧化层。本发明专利技术的方法在不改变现有整体工艺顺序、不增加热过程的前提下大幅提高了肖特基二极管的击穿电压的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造领域，涉及半导体器件制造工艺，特别涉及 一种。
技术介绍
肖特基二极管因其通态压降低、大电流、低功耗以及极短的反向恢复 时间常常被集成在IC的整合工艺中。比如利用其通态压降低的特点，箝 位双极晶体管以防止其进入深饱和区以提高电路的频率响应或者利用其 通态压降低、大电流、低功耗的特点用于输出整流以提高电路的驱动能力。 但是集成的肖特基二极管由于工艺复杂，受影响的因素较多，要做到电参 数在硅片面内很均匀非常困难。现在的肖特基二极管制作流程如图l所示，包括以下工艺步骤(1) 轻掺杂漏侧墙(LDD)形成后，源漏(SD)注入前的250埃(screen oxide APM);(2) N型源漏(NSD)光刻、注入；(3) P型源漏(PSD)光刻、注入；(4) 源漏(SD)氮气推进；(5) 500A低压化学气相沉积氧化膜(LPTEOS)，硅化物阻挡层(SB)光 刻、刻蚀，钛溅射，硅化物(silicide)形成；(6) 常压化学气相(APM)淀积氧化膜，硼磷硅玻璃(BPSG)淀积，化学机械研磨(CMP)，等离子体化学气相淀积氧化膜(PETEOS)，接触孔光刻、 刻蚀。采用该本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成肖特基二极管制造方法，其特征在于，包括以下步骤：　（１）低掺杂漏侧墙形成后，低压化学气相淀积氧化膜；　（２）Ｎ型源漏光刻、注入；　（３）低压化学气相淀积氧化膜干法刻蚀；　（４）Ｐ型源漏光刻、注入；　（５）低压化学气相淀积氧化膜干法刻蚀；　（６）源漏推进过程采用先氮气、后氧气生长一薄热氧化层；　（７）低压化学气相淀积氧化膜，硅化物层光刻、刻蚀，钛溅射，硅化物形成；　（８）低压化学气相淀积氧化膜，硼磷硅玻璃淀积，化学机械研磨，等离子体增强化学气相淀积，接触孔光刻、刻蚀。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马清杰，康志潇，金勤海，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]