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本发明公开了一种集成肖特基二极管制造方法，低掺杂漏侧墙形成后低压化学气相淀积氧化膜，在Ｎ型源漏及Ｐ型源漏光刻、注入后进行氧化膜干法刻蚀，在源漏氮气推进后期生长一薄热氧化层。本发明的方法在不改变现有整体工艺顺序、不增加热过程的前提下大幅提高了...
该专利属于上海华虹ＮＥＣ电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹ＮＥＣ电子有限公司授权不得商用。

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