北京大学专利技术

北京大学共有15388项专利

  • 多功能全自动用电保安器属于电子与电工技术领域.它采用了集成电路和双向可控硅,使之同时具有电流型触电保护、过载保护以及电压的过压、欠压、瞬时断电等多功能保护.保护的断电时间<0、01秒,停电5分钟后自动恢复供电,亦可手动恢复供电.电源电压...
  • 一种三相电多功能漏电保护器,属于三相电安全用电技术领域。在已有DZI5L漏电保安器基础上增添了过(欠)压保护电路和缺(断)相保护电路后,本实用新型具有漏电、触电、过载、短路、缺相过压、欠压和防雷击等多种保护功能,当险情发生时,能及时切断...
  • 本发明提供一种产生直接用作光频段频率标准激光的方法,该方法包括:由一个准直的原子束流作为激光增益介质,将激光增益介质置于真空内,激光增益介质粒子在进入激光谐振腔前由一个单独受控制的激光器提供泵浦激光照射而产生增益介质粒子能级间布居数反转...
  • 本发明提供了一种制备氮化镓基半导体激光器P型电极的方法,属于半导体激光器器件制备技术领域。该方法包括:在完成整个氮化镓基半导体激光器结构刻蚀后,P型和N型电极蒸镀前,将氮化镓基半导体激光器放入酸溶液中进行表面预处理;优化PECVD条件生...
  • 光学二极管主要用于环形腔激光器内,是使之实现单向行波振荡的关键器件。本实用新型是用左旋和右旋水晶片的旋光角相减获得小旋光角的结构取代了工艺难度极大的薄水晶片。此旋光体是胶合的(左旋水晶|法拉第玻璃|右旋水晶)复合层结构。明显地提高了器件...
  • 该新型光束偏转器属于激光新器件。其中光束偏转元件是由两块完全相同的直角光楔构成的“空气棱镜”。顶角连续可变,主截面可连续旋转。出射光束的方向可以在60°圆锥角范围内任意改变。与外国已有的类似器件相比,其特征在于消除了光束偏转过程中的附加...
  • 锁相环实现横向塞曼激光稳频属于激光稳频技术.本发明由于使用了锁相、锁频环路,使光频的稳定性达5×10+[-11](0.1sec.-1sec.)、再现性达2×10+[-9],且光频可调谐.其特点是设计了用同一交流信号为参考的鉴频器、鉴相器...
  • 光束横移器属于激光新器件。本发明是以定倾角斜置于光路中的等效空气平行平板为调节元件,通过改变其厚度和绕光轴旋转的方法,实现出射光束在φ50毫米对称圆内二维连续可调、任意定位,保持光束的偏振性质。其位置精度≤0.3毫米,对中长波段透过率T...
  • 超宽带可调谐光束偏振面旋转器属于激光及光学新器件技术领域。该发明工作在300nm—1500nm波段范围,其透过率≥95%;消光比大于1000:1;抗光损伤阈值大于400W/cm+[2](连续波),大于100MW/cm+[2](脉冲)。超...
  • 铌酸钾自泵浦相共轭器在激光及光电子技术等领域有广泛的应用。该发明采用了使入射光本身在晶体内全反射、反射光与入射光在晶体内相交的设计方案。因而达到充分利用入射光,也充分利用了晶体较大的电光系数,得到了高的相共轭反射率。用掺铁铌酸钾(KNb...
  • 本发明涉及一种以氮化镓为基础的Ⅲ-族氮化物半导体材料制备半导体器件的方法。本发明提供了一种将在透明衬底上生长光发射材料所制备的光发射二极管的正面除N-电极以外的全部面积均做为P-电极,相反的背面做为出光面,并且采用倒装焊接方法进行封装的...
  • 本发明公开了一种光学相控阵器,包括有激光器、光波导和固定光波导的固定架,固定后的光波导形成波导阵列,波导阵列中相邻光波导间有一定倍数输入中心光波长的长度差,该光波导阵列的相邻单元间距互不相等,其光波导阵列的相邻单元间距d↓[i]和相邻光...
  • 本发明涉及一种实现大面积激光剥离蓝宝石上生长的GaN基外延层的方法,本发明提供了一种可以获得大面积的均匀的无蓝宝石衬底的完整的薄层GaN基外延膜,GaN基外延层是在蓝宝石衬底上用HVPE方法生长的厚膜或用MOCVD方法生长的薄层外延膜,...
  • 本发明提出了一种制备以GaN外延层的自然解理面作为激光器腔镜面、以金属铜Cu作为芯片热沉和支撑衬底的技术,以提高激光器腔镜面的光学质量,减小光学损耗,改善散热效率,达到减小激光器的阈值电流密度,提高器件的综合性能指标的目的,同时可以省略...
  • 本发明提供一种基于二维平面薄膜光子晶体的光二极管及其制备方法。属于光二极管技术领域。该光二极管包括一二维光子晶体和一可实现频率转换的晶体,二维光子晶体和实现频率转换的晶体通过波导连接。实现频率转换的晶体可以是普通的非线性倍频晶体,也可以...
  • 本项发明提出一种基于光子晶体的新型的适于研制GaN腔镜面的结构和方法。本发明采用深度刻蚀半导体微结构形成半导体与空气交替变化的一维周期性光子晶体结构,采用先进的直写式聚焦离子束(FIB)亚微米微加工技术和简化的工艺步骤,制作出半导体激光...
  • 本发明提供一种高亮度GaN基发光二极管的结构和其制备的技术方案,提出一种具有表面图形化和微结构的高亮度LED结构,具体结构是采用纳米压制技术在LED的发光面上制备具有各种图形的有机材料薄膜,间接的在LED表面形成有利于有源区发射光逸出的...
  • 本发明在使用先进的聚焦离子束刻蚀技术加工GaN基激光器谐振腔镜面的工艺中提出了一种简洁、快速、有效的工艺步骤和方法,它包括以下三个主要步骤:计算和设计具有一维光子晶体结构的半导体/空气(DBR)反射镜的具体尺寸和容差要求,为FIB加工条...
  • 本发明提供一种用分离场技术实现激光输出的方法,属于激光技术领域。该方法利用分离场技术,把激光谐振腔分成两个或更多的折合部分,原子与激光谐振腔分多次相互耦合,增加了原子束与谐振腔的相互作用时间,减小了飞行时间增宽对激光线宽的影响,从而输出...
  • 本发明公开了一种氮化物基脊型激光器和氮化物基脊型发光二极管及制备方法,属于氮化物材料系发光器件技术领域。本发明氮化物基脊型发光二极管的特征在于,在有源层和脊型p型接触层之间设置一介质层,该介质层设有若干个窗口或窗口组,所述脊型p型接触层...