本发明公开了一种镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管Ｐ型氮化镓的激活方法，该方法用ＩＣＰ等离子体处理镁掺杂的氮化镓基材料或发光二极管Ｐ型氮化镓材料，其中，反应气氛为含氧元素的气体及含氧元素气体的混合气体，或上述气体与氮气、氦气或氩气的混合气体...

本装置属半导体测量技术（Ｃ－Ｖ技术），具体地说，就是涉及ＭＯＳ器件中微量可动离子，ＰＮ结（或ＭＳ结）中微量深能级杂质以及高性能二极管配对筛选的测量技术。本装置采用电流补偿原理，将传统Ｃ－Ｖ测量的单端输入运放工作模式改变为两端输入差动电流...

本实用新型涉及一种超导量子干涉仪自动控制接口装置，其特征是采取以ＭＣＳ５１微处理器为核心的多功能电路，此多功能电路包含一个或者两个以上（含两个）完全相同的分电路，每个分电路由单片机与数字模拟（Ｄ／Ａ）转换电路、模拟数字（Ａ／Ｄ）转换电路...

太阳能电池由外层、中间层和内层构成，外层包括导电玻璃，中间层为吸附层，内层为镀有铂单分子层的导电玻璃，铂单分子层向内。价格低廉。

灌注成型的压电高聚物水听器振子，属于传感器技术领域。本实用新型压电振子是由压电膜、橡胶类或树脂类材料及有机材料管组成的三合一复合管或由压电膜和橡胶类或树脂类材料组成的二合一复合管，其橡胶类或树脂类材料采用灌注成型，其压电膜采用卷绕结构的...

本发明采用先进的磁控溅射技术，以成本较低的金属银作为硅器件背面金属化层主要材料，采用先进的快速热退火工艺，成功地解决了硅器件背面金属化结构的可靠性问题。溅射方法制备的背面金属化结构，层间热应力匹配好，欧姆接触性能优良，具有良好的浸锡沾润...

本发明属半导体测量技术，具体地说，就是涉及ＭＯＳ系统中绝缘层陷阱电荷的检测技术。陷阱电荷弛豫谱方法及其测量系统（ＴＣＲＳ）采用一种新的差值取样技术和高分辨率的共模输入电流补偿测试电路，首次解决了绝缘层陷阱参数的直接测量和不同类型的陷阱的...

硅的深槽刻蚀技术是目前超大规模集成电路制造技术中的一项关键工艺。我们发明了一种新的刻蚀硅深槽的方法，采用极薄的Ｚｒ或ＺｒＮ膜（厚度为３００＊至１０００＊）作掩膜，利用反应离子刻蚀设备刻蚀硅槽，刻蚀气体选用对设备危害程度很小的ＳＦ↓［６］...

本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的。本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成...

本发明首次提出了一种以ＧａＮ／Ａｌ↓［２］Ｏ↓［３］做为一种Ⅲ－Ⅴ族氮化物外延的复合衬底及其制备方法和有关的质量要求；直接生长ＧａＮ等Ⅲ－Ⅴ族氮化物单晶薄膜，提高成品率，有好的重复性，涉及以ＧａＮ为基础的光发射二极管（ＬＥＤ）、激光器（...

一种栅控混合管，在现有栅控混合管的漏区与体区之间增加一个轻掺杂漏区；以及制备该种栅控混合管的方法，通过注入退火，杂质横向推进形成沟道，增加基区注入；降低了Ｅａｒｌｙ效应，提高了器件的击穿电压，减小热电子效应，减弱特性退化；在不需要亚微米...

本发明是一种用于表面工艺多晶硅结构释放的工艺。通常采用的表面牺牲层工艺，在腐蚀后的清洗干燥过程中，多晶硅结构由于处理液的张力会粘附到衬底上。本发明在多晶硅结构制备的过程中，同时形成许多与衬底相连的多晶硅支柱；并分别利用氮化硅薄膜及光刻胶...

本发明属于高新科技新型纳米电子器件领域。本发明涉及碳纳米管竖立在纯净金属基底表面上的组装技术及用此技术所制造的电子器件，包括阵列场发射电子源，场发射平板显示器件，扫描探针显微镜（ＳＰＭ）的针尖，场发射电子显微镜（ＦＥＭ）的样品，测试碳纳...

一种可以对近红外波段弱超快光信号进行检测的内场助光电发射薄膜结构，属于半导体器件领域。此种光电发射薄膜结构的特点是在金属超微粒子／介质复合薄膜表面沉积一层一定厚度的银薄膜电极，从而通过加入内场的方法达到提高该种光电发射薄膜量子产额的目的...

本发明涉及一种半导体器件参数比例差值算符分析方法及其系统。先通过半导体参数测试仪器测量完整的半导体器件Ⅰ－Ⅴ输出特性，然后通过比例差值算符分析软件系统对上述Ⅰ－Ⅴ特性进行比例差值处理，得到相应的比例差值Ⅰ－Ⅴ函数特性和半导体参数。与传统...

本发明涉及一种用于低温真空封焊的微机电系统（Ｍｉｃｒｏ－Ｅｌｅｃｔｒ ｏｎｉｃ－Ｍｅｃｈａｎｉｃ Ｓｙｓｔｅｍ以下简称ＭＥＭＳ）的真空封装外壳的设计以及相应的封装工艺。它结合了微电子技术与真空电子技术的技术特长，对传统混合集成电路所...

半导体发光二极管及其制备方法，在普通半导体发光二极管基片上用圆盘式台面基本发光腔、微结构和电极接触相结合的设计，在圆台面ｐ型金属电极顶部蚀刻二维周期性微结构，周期为亚微米或微米级，深度达到ｎ型区。可用半导体光刻和干法刻蚀微加工技术或ＦＩ...

一种制备光电探测器的方法。采用特殊版图设计，宽引线铝覆部分场区，氯离子处理炉管，在有氢气氛的低温炉中退火，慢降温和磷吸杂工艺。经此方法制备的光电探测器反向击穿高，暗电流小，结电容小，响应速度快，光谱响应范围广，参数优异并稳定。可广泛应用...

本发明公开了一种ＢＳＩＭ３Ｖ３模型中的阈值电压模型参数提取方法，提取过程为：（１）器件选择，即选择一组大尺寸器件和一组小尺寸器件，小尺寸器件选择不同长度Ｌ和不同宽度Ｗ的器件组合，大尺寸器件选择不同宽度Ｗ和相同长度Ｌ的器件，０．３５μｍ≤...

本发明公开了一种焦平面读出电路像素阵列的布图方法和金属布线结构，属于微电子及光电子领域中成像系统读出电路中的像素阵列设计技术领域。本发明通过确定像素的特殊排列方式和新型的像素布图结构，并在此基础上采用特殊的探测器阵列、像素阵列连接方式进...