双栅垂直沟道场效应晶体管的制备方法技术

一种比较理想的新型的全耗尽垂直沟道双栅场效应晶体管，具有如下特点：是一种全耗尽的垂直沟道双栅结构；沟道长度和沟道硅膜厚度都能不依赖于光刻技术，这两个关键尺寸都可以被精确而均匀控制；而且可以在单位面积上实现两个并联的全耗尽垂直沟道双栅结构，从而增大器件的开态驱动电流。该结构在高集成度、低压低功耗的存储器和逻辑电路方面，具有很高的应用价值。本发明专利技术还提出了这种新型结构的制备方法，结合了三种工艺技术：替代栅技术、锗作牺牲层和锗的选择腐蚀、选择外延技术，在一个单元面积上形成两个全耗尽双栅垂直沟道器件，而且全耗尽双栅器件的两个关键尺寸，都可以得到精确控制，完全不依赖于光刻技术。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种场效应晶体管及其制造方法，尤其是一种新型的双栅结构的垂直沟道场效应晶体管及其制造方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的场效应晶体管(MOSFET-Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor，简称MOSFET)的结构及其制造

技术介绍
随着传统的平面CMOS超大规模集成电路技术的高速发展，MOSFET器件的特征尺寸已经进入亚微米、深亚微米(＜0.1微米)时代，但是器件尺寸的进一步缩小将受到光学光刻技术的限制；目前所知的最先进的光学光刻技术的最小分辨率为0.157微米(最小的光学光刻尺寸，又叫特征尺寸，feature size，简写为F)。垂直沟道场效应晶体管的提出，为突破光学光刻技术的限制而实现深亚微米的MOSFET器件制备，开辟了一条新的途径。垂直沟道器件的工作原理与平面器件完全相同，但其漏区、沟道区和源区沿衬底表面的垂直方向上下排列，易于实现三维集成，该器件具有尺寸不受光刻限制、结构简单、集成度高、与平面器件工艺兼容等优点，被学术界和工业界认为是一种非常有潜力的器件结构。在2003年和2004年本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，其特征在于：在单位面积上有两个全耗尽的双栅垂直沟道，沟道长度为２０～５０纳米，沟道区厚度为１０～３０纳米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周发龙，黄如，蔡一茂，张大成，张兴，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]