高压金属氧化物半导体晶体管及其制造方法技术

一种高压金属氧化物半导体晶体管，其包括一基底、一阱区、一栅绝缘层、一栅极、二漂移区、一通道区、一源极／漏极区及一隔离结构。其中，阱区配置于基底中，且栅绝缘层配置于基底上。栅极配置于栅绝缘层上。二漂移区分别配置于栅极两侧的阱区中，其中栅极的宽度小于等于漂移区的宽度。通道区配置于二漂移区之间，且通道区的宽度大于二漂移区的宽度。源极／漏极区分别配置于二漂移区内。隔离结构配置于二漂移区内，其中隔离结构位于源极／漏极区与通道区之间，而二漂移区将源极／漏极区以及隔离结构包围起来。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种金属氧化物半导体晶体管及其制造方法，特别是涉及一种。
技术介绍
高压金属氧化物半导体晶体管使用在电子产品中需要以高电压操作的部分，例如闪存(Flash Memory)或平面显示器(Flat Panel Display)的控制电路中。由于高压金属氧化物半导体晶体管必须能在高电压下正常操作，而不致发生电击穿(Breakdown)等现象，所以高压金属氧化物半导体晶体管的击穿电压值(Breakdown Voltage)会较一般元件高。图1为绘示现有一种高压金属氧化物半导体晶体管上视图，请参照图1，高压金属氧化物半导体晶体管包括一基底100、形成在基底100中的一阱区110、形成在阱区110中的二漂移区(drift region)120a/120b、形成在二漂移区120a/120b内的一源极/漏极区140a/140b、形成在源极/漏极区140a/140b之间的一通道区130、形成在基底100上的一栅极150以及形成在栅极150与基底100之间的栅绝缘层(未绘示)。一般而言，元件的宽度是由源极区140a/漏极区140b的宽度W4所决定。而在图1中，此高压元件的栅极150宽度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高压金属氧化物半导体晶体管，包括：一基底；一阱区，配置于该基底中；一栅绝缘层，配置于该基底上；一栅极，配置于该栅绝缘层上；二漂移区，分别配置于该栅极两侧的该阱区中，其中该栅极的宽度小于等于该二漂移 区的宽度；一通道区，配置于该二漂移区之间，且该通道区的宽度大于该二漂移区的宽度；一源极／漏极区，分别配置于该二漂移区内；以及一隔离结构，配置于该二漂移区内，其中该隔离结构位于该源极／漏极区与该通道区之间，而该二漂移区 将该源极／漏极区以及该隔离结构包围起来。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈辉煌，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]