晶体管型铁电体存储器及其制造方法技术

本发明专利技术目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明专利技术涉及的晶体管型铁电体存储器，包括Ⅳ族半导体层（１０）、在所述Ⅳ族半导体层（１０）的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层（２０）的上方形成的铁电体层（３０）、在所述铁电体层（３０）的上方形成的栅电极（４０），和在所述Ⅳ族半导体层（１０）上形成的源区（１２）和漏区（１４）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及具有新颖结构的。
技术介绍
作为已有的1T型(晶体管型)Fe RAM(Ferroelectric Random AccessMemory)，已知有MFS(Metal Ferroelectric Semiconductor)、MFIS(MetalFerroelectric Insulator Semiconductor)和MFMIS(Metal Ferroelectric MetalInsulator Semiconductor)结构的。然而这些的任一FeRAM，都有许多问题。在MFS结构的情况下，由于由硅或锗构成的IV族半导体基板的表面容易被氧化，所以在该基板的表面上形成氧化物铁电体极为困难，以致尚未实用化。其主要原因是，一旦要在IV族半导体(例如硅)层上形成氧化物铁电体层，在硅层与氧化物铁电体层间的界面上就会形成氧化硅膜等不需要的膜。一旦形成这种膜，由于该膜的介电常数小，所以不仅使氧化物铁电体极性反转所需的工作电压增大，而且因在该膜中产生陷阱能级(trap准位)而可以向膜中注入电荷，因而不能进行使残余极化的电荷消除的充分的极化反转。对于MFIS结构而言，通常，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体管型铁电体存储器，其中包括：Ⅳ族半导体层；在所述Ⅳ族半导体层的上方形成的氧化物半导体层；在所述氧化物半导体层的上方形成的铁电体层；在所述铁电体层的上方形成的栅电极；和在所述Ⅳ族半导体层上形成的 源区和漏区。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：木岛健，滨田泰彰，樋口天光，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]