一种基于半导体纳米材料的CMOS电路及其制备制造技术

本发明专利技术提出了一种简单的完全不采用掺杂在一维半导体纳米材料上实现高性能ＣＭＯＳ电路的制备和集成的方法。本发明专利技术的ＣＭＯＳ电路中的ｐ型场效应晶体管是通过控制高功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的价带交换电子来实现的，ｎ型场效应晶体管是通过控制低功函数的金属电极直接与碳纳米管或其它一维半导体纳米材料的导带交换电子来实现的。在此基础上，本发明专利技术提出了采用背栅和顶栅两种器件结构分别实现反相器、与非门、或非门以及全加器等基本逻辑单元和更为复杂的逻辑电路。本发明专利技术大大降低了ＣＭＯＳ电路制作的工艺复杂性和成本，提高了器件性能的均匀性，为规模集成纳米电路提供了全新的设计思路和有效的实施方法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种纳米互补场效应晶体管电路，其导电通道为本征型的一维半导体纳米材料，其中：ｐ型场效应晶体管由一段一维半导体纳米材料和与之直接接触的高功函数的金属电极组成；ｎ型场效应晶体管由一段一维半导体纳米材料和与之直接接触的低功函数的金属电极组成。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭练矛，梁学磊，陈清，张志勇，王胜，胡又凡，姚昆，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]