本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管的制备方法，属于场效应晶体管的制备领域，该方法完全采用标准ＣＭＯＳ工艺来制备ＬＤＭＯＳ的办法，仅仅需要通过如下版图设计来实现ＬＤＭＯＳ，即定义有源区版以形成ＬＤＭＯＳ器件的体引出区、源区、漏区、沟道...

本发明提供了一类高稳定性的有机小分子纯蓝光材料，具有式１所示的结构，其中Ｒ↓［１］代表π－共轭基团；Ｒ↓［２］代表氢、烷基、烷氧基；Ｒ↓［３］代表氢、烷基、烷氧基。路易斯酸催化的分子内Ｆｒｉｅｄｅｌ－Ｃｒａｆｔｓ关环反应和高效率的钯催化...

本发明提出一种基于碳纳米管的光电器件，以碳纳米管作为导电通道，其一端具有高功函数金属电极，另一端具有低功函数金属电极，通过简单的结构即可实现多种功能器件，包括但不限于双极性场效应晶体管、无阻双极性二极管、发光二极管和光探测器。本发明还提...

本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该材料为掺入＋３价金属元素离子的ＨｆＯ↓［２］、ＺｒＯ↓［２］或ＣｅＯ↓［２］薄膜。阻变材料中ＨｆＯ↓［２］、ＺｒＯ↓［２］和ＣｅＯ↓［２］是晶格结构...

本发明公开了一种具有稳定阻变特性的材料以及阻变存储器，属于半导体非挥发性存储器技术领域。该阻变材料为掺入了银的二氧化硅薄膜或掺入了银的氮化硅薄膜。阻变材料的Ａｇ粒子会朝着电极的方向运动并在电极处堆积。只要外加电压不撤销，堆积的银粒子将越...

本发明公开了一种薄膜型光子晶格结构ＧａＮ基发光二极管的制备方法，属于ＧａＮ基发光二极管技术领域。该方法包括：在蓝宝石衬底上生长多层ＧａＮ基发光二极管材料，包括非掺杂的ＧａＮ层、ｎ型ＧａＮ层、多量子阱、Ｐ型ＧａＮ层；在ＧａＮ基发光二极管材...

本发明公开了一种超薄硅基粒子探测器及其制备方法。本发明探测器包括硅基片，硅基片上的探测窗口以及硅基片和探测窗口之外的介质层；所述探测窗口包括Ｐ区，Ｎ区以及夹在两者之间的硅层；所述Ｐ区周围设有保护环，保护环和Ｐ区不相接触；Ｐ区上方还设有基...

本发明公开了一种体硅纳米线晶体管器件的制备方法，属于ＣＭＯＳ超大规模集成电路（ＵＬＳＩ）制造技术领域。该方法通过自上而下的途径实现体硅纳米线结构，器件产生的大量热可以通过源漏区从衬底区散出，有效抑制了器件的自热效应。另外由于体硅纳米线晶...

本发明提供一种ｐ型氮化镓的表面处理方法，属于光电技术领域。该方法包括：将清洗干净的ｐ型氮化镓样品放入反应离子刻蚀机反应室内；对反应室抽真空，至气压小于８．０×１０↑［－５］托后，用氟等离子体对样品表面处理。本发明可解除ｐ型氮化镓的Ｍｇ－...

本发明提供了一种ＧａＮ基自旋发光二极管（Ｓｐｉｎ－ＬＥＤ），具有如下结构：在导电衬底之上依次是Ｐ型欧姆接触电极、Ｐ型ＧａＮ层、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多量子阱有源层、Ｎ型ＧａＮ层、掺杂过渡金属元素的ＩＴＯ磁性层、Ｎ型欧姆接触电极。该ＧａＮ基Ｓ...

本发明公开了一种提高有机电致发光器件顶发射出光效率的方法及相应器件，在平板层状结构的有机电致发光器件中利用单层或多层金属作为顶发射电极，然后在其上真空蒸镀或涂覆一层室温下呈固态的小分子芳香族化合物，直接利用小分子芳香族化合物的自团聚效应...

一种四极式宽量程电离规管，属于真空技术领域。在三极式电离规管中增加第二阳极，其材质为钨、钼、可伐或镍等，呈杆状或片状两根，通过支架相联。此两根第二阳极位于第一阳极和收集极之间，平行且对称布置在阴极两侧。测量高真空时用第一阳极，测量低真空...

本发明公开了一种掺杂稀土元素的纳米粒子／介质复合光电薄膜及其制备方法和用途，属于半导体器件领域。稀土纳米粒子和金属Ａｇ纳米粒子均匀地埋藏在半导体介质ＢａＯ中。其制备方法是在传统的制备Ａｇ－ＢａＯ薄膜工艺中按体积比Ｂａ∶Ａｇ∶稀土＝７∶３...

本发明公开了一种场发射阴极及其制造方法和应用，属于纳米技术领域和平面场发射阴极技术领域。本发明的场发射阴极是金属纳米线阵列，是在金属平面电极基底上生长与基底相同金属的纳米线阵列；基底厚度为１μｍ～０．５ｍｍ，纳米线直径为２０～２００ｎｍ...

本发明涉及一种弹道电子发射源及其制备方法，包括电导体丝，单壁碳纳米管，电导体丝前端为针尖形；单壁碳纳米管直径为１－２纳米，长度为１０～１００纳米，将短单壁碳纳米管用物理的或化学方法组装在电导体丝针尖前端，在真空中经加热或电子束轰击处理，...

碳基纳米管，其特征在于，所述碳基纳米管内部填充有金属或金属氧化物颗粒，所述颗粒使得所述碳基纳米管的外壁构成多个几何突起。

一种场发射针尖，是固定在硅衬底上的尖端为１０↑［－１］－１０↑［０］ｎｍ的氧化铟或氧化铟锡纳米晶体。

本发明提供一种提高碳纳米管阴极发射效率的方法，属于碳纳米管应用领域。该方法利用石墨片边缘结构可提高碳纳米管阴极发射效率，通过在单根碳纳米管、碳纳米管阵列或碳纳米管薄膜中通大电流使其断裂或高压放电的处理方法使碳管断口出现石墨片结构，从而提...

本发明公开了一种基于纳米碳管的场发射阴极及其制备方法，所述纳米碳管以平躺的方式排布于所述场发射阴极极板上。制备包括：将所述纳米碳管放在酒精或其他溶剂中，搅拌分散，制成溶液；将得到的溶液直接滴到所述阴极极板上；将所述滴有纳米碳管溶液的阴极...

本发明提供了一种基于低能散ＲＦＱ加速器的加速器质谱装置及相应的加速器质谱［１４］↑Ｃ测量方法，属于加速器质谱技术领域。该加速器质谱装置包括：离子源、聚束器、ＲＦＱ加速器、电子剥离器、高能分析系统以及探测器，上述部件按顺序联接，ＲＦＱ加速...