集成微传感器的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种基于ＳＯＩ技术的集成微传感器的制备方法，属于微机电系统和集成电路技术领域。该方法基于Ｐｏｓｔ－ＣＭＯＳ或Ｉｎｔｅｒｍｅｄｉａｔｅ－ＣＭＯＳ工艺，利用ＳＯＩ　　ＣＭＯＳ工艺和ＳＯＩ微机械加工技术，在ＳＯＩ硅片上实现微传感器阵列与信号调理等电路的单片集成。本发明专利技术工艺简单、加工成本低、体积小、可靠性高，该集成传感器在医学、环境、食品、军事等领域具有广泛的应用前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微机电系统和集成电路
，特別涉及一种集成微传感 器的制备方法。技术背景MEMS传感器具有体积小、易集成、成本低、功耗小、速度快、灵敏度高 等特点，成为目前MEMS器件发展的主流方向。近年来，随着半导体加工水平 的提高以及对传感器低功耗、高信噪比和高集成度的设计追求，人们开始进 行单芯片系统(S0C)的研究。SOC是利用标准的IC工艺和MEMS后处理工艺， 在单芯片上实现简单的集成微传感器。集成传感器主要包括微传感器阵列、 传感器驱动电路、多路信号选择器、信号调理电路和数模转换电路，目前的 制备集成4鼓传感器方法包括两种方式， 一是直接在体硅上进行集成制造，还 有一种是传感器制备在SOI硅片器件层上，CMOS电路制备在体硅上。由于采用SOI CM0S技术与采用传统的体硅制备CMOS电路相比具有如下特 点无闩锁效应；源、漏寄生电容小；易于形成浅结和全介质隔离；工艺更 为简单；较好地抑制短沟道效应；低压低功耗；优良的抗辐照能力等。因此， 采用SOI硅片制备集成微传感器是一个值得研究的方向。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种在SOI硅片实现集成微传感器的方法，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种集成微传感器的制备方法，包括：（１）在ＳＯＩ硅片上进行光刻和刻蚀，定义ＣＭＯＳ电路的有源区和传感器的器件区，之后生长场区氧化层，形成硅岛，然后去除ＳＯＩ硅片上的氮化硅；（２）Ｎ↑［－］和Ｐ↑［－］离子注入，调节ＮＭＯＳ和 ＰＭＯＳ管的阈值电压，并制备组成惠斯通电桥的力敏电阻；（３）淀积多晶硅并离子注入，定义多晶硅栅、多晶硅引线和多晶硅电阻；（４）对ＮＭＯＳ和ＰＭＯＳ管进行源漏区离子注入和体接触区注入；（５）定义接触孔后淀积金属，干法刻 蚀或湿法腐蚀金属，定义电路及传感器的金属引线；（６）光刻并定义形成传感器结构的微...

【技术特征摘要】
1. 一种集成微传感器的制备方法，包括(1)在SOI硅片上进行光刻和刻蚀，定义CMOS电路的有源区和传感器的器件区，之后生长场区氧化层，形成硅岛，然后去除SOI硅片上的氮化硅；(2)N-和P-离子注入，调节NMOS和PMOS管的阈值电压，并制备组成惠斯通电桥的力敏电阻；(3)淀积多晶硅并离子注入，定义多晶硅栅、多晶硅引线和多晶硅电阻；(4)对NMOS和PMOS管进行源漏区离子注入和体接触区注入；(5)定义接触孔后淀积金属，干法刻蚀或湿法腐蚀金属，定义电路及传感器的金属引线；(6)光刻并定义形成传感器结构的微槽图形，并利用反应离子刻蚀槽区的钝化层、器件层和埋氧层；(7)各向同性刻蚀微槽内的硅，利用埋氧层停止刻蚀，得到释放的传感器结构。2、 如权利要求1所述的集成微传感器的制备方法，其特征在于步骤1中， 根据传感器对器件的要求选择相应器件层厚度和掺杂类型的SOI硅片。3、 如权利要求1所述的集...

【专利技术属性】
技术研发人员：于晓梅，汤雅权，张海涛，王颖，王玮，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]