一种组合栅场效应晶体管制造技术

本发明专利技术公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明专利技术的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。对本发明专利技术的模拟结果表明：适当提高靠近源端栅材料的功函数，降低靠近漏端栅材料的功函数能够显著降低器件的关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比，当源、漏端的功函数为一定值时，ｍｐｏｌｙｐｏｌｙ结构和ｍｐｏｌｙｍ结构的由ＤＩＢＬ效应引起的阈值电压漂移有一个最小值。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及一种场效应晶体管。
技术介绍
制造高速度、低功耗的半导体器件是半导体工艺的核心。在场效应晶体管的制备技术中，一个关键问题是要降低关态泄漏电流，减小器件的静态功耗，提高器件的电流开关比、尽可能减小由DIBL效应引起的阈值电压漂移。解决这个问题对制造高速、低功耗的集成电路有重要意义。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件，为改善器件性能提供一个优化的方向。为实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底上的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底上，所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。所述晶体管有三种结构polypolym型、mpolypoly型、以及mpolym型。所述polypolym型场效应晶体管的特征为器件靠近源端以及中间部分的栅材料为多晶硅，靠近漏端的栅材料功函数为变量。所述mpolypoly型场效应晶体管的特征为器件靠近漏端以及中间部分的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底上的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底上，其特征在于：所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。

【技术特征摘要】
1.一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底上的两端，所述栅设于所述源端和漏端之间的衬底上，其特征在于所述栅分为三部分，分别为靠近源端部分栅，靠近漏端部分栅，和中间部分栅，所述中间部分栅为多晶硅材料。2.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管，其特征在于所述场效应晶体管为有三种结构polypolym型、mpolypoly型、以及mpolym型。3.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管，其特征在于所述场效应晶体管源漏区掺杂浓度为1×1020cm-3，结深为100nm。4.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨胜齐，刘文安，黄如，王文平，张兴，王阳元，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]