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本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种低静态功耗、低关态电流、高电流开关比的场效应晶体管器件。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括栅、源端、漏端和衬底在内的场效应晶体管本体，所述源端和漏端设于所述衬底的两端，所述栅设于所述源端和...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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