半导体器件的制造方法技术

一种制造半导体器件的方法，包含下列步骤：　　　　（ａ）提供衬底，此衬底包含：具有主表面和背面的金属片；多个产品制作部分；形成在各个产品制作部分中的金属片主表面上的凹陷和小区；以及形成在金属片主表面上以环绕小区的沟槽；　　　　（ｂ）在步骤（ａ）之后，通过粘合剂将半导体元件固定到各个产品制作部分中的凹陷底部；　　　　（ｃ）在步骤（ｂ）之后，经由导电丝彼此电连接半导体元件的表面和小区的表面；　　　　（ｄ）在步骤（ｃ）之后，在衬底主表面上形成绝缘树脂层，使得包括各个产品制作部分的边界部分，并覆盖半导体元件和导电丝；　　　　（ｅ）在步骤（ｄ）之后，去除预定厚度的金属片背面，从而使各个小区彼此独立地电隔离，并使粘合剂暴露；以及　　　　（ｆ）在步骤（ｅ）之后，沿产品制作部分的边界部分切割树脂层，以便制造多个半导体器件。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到诸如采用金属片的树脂密封型LSI(大规模集成电路)之类的。确切地说，本专利技术涉及到可有效地用来制造诸如SON(小外形无引线封装件)和QFN(四列扁平无引线封装件)类型的半导体器件(无引线型半导体器件)，其中，外部电极端子被暴露于安装表面侧而不有意凸出封装件的外部电极端子侧向。
技术介绍
在树脂密封型半导体器件的制造中，采用了引线框。此引线框是借助于用精密压力冲压金属片，或借助于腐蚀成所希望的图形而制造的。引线框具有称为薄片或管芯垫的用来固定半导体元件(半导体芯片)的支持部分，还具有其末端(内端)环绕支持部分的多个引线。支持部分(薄片)由从引线框框体部分延伸的薄片悬挂引线支持。在用这种引线框制造树脂密封型半导体器件的过程中，半导体芯片被固定到引线框的薄片上，且半导体芯片的电极和引线末端经由导电金属丝被连接到一起，然后用绝缘树脂将包括金属丝的引线内端和半导体芯片密封以填充间隙并形成密封部件(树脂密封部件，即封装件)，然后切除不必要的引线框部分，同时切除从封装件伸出的引线和薄片悬挂引线。另一方面，作为用引线框制造的树脂密封型半导体器件，已知有一种半导体器件结构(无引线本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，包含下列步骤(a)提供衬底，此衬底包含具有主表面和背面的金属片；多个产品制作部分；形成在各个产品制作部分中的金属片主表面上的凹陷和小区；以及形成在金属片主表面上以环绕小区的沟槽；(b)在步骤(a)之后，通过粘合剂将半导体元件固定到各个产品制作部分中的凹陷底部；(c)在步骤(b)之后，经由导电丝彼此电连接半导体元件的表面和小区的表面；(d)在步骤(c)之后，在衬底主表面上形成绝缘树脂层，使得包括各个产品制作部分的边界部分，并覆盖半导体元件和导电丝；(e)在步骤(d)之后，去除预定厚度的金属片背面，从而使各个小区彼此独立地电隔离，并使粘合剂暴露；以及(f)在步骤(e)之后，沿产品制作部分的边界部分切割树脂层，以便制造多个半导体器件。2.根据权利要求1的方法，在步骤(e)之后和步骤(f)之前还包含步骤(g)在暴露于树脂层表面的小区的表面上形成镀层膜。3.根据权利要求1的方法，在步骤(e)之后还包含步骤(h)在步骤(e)之后，将条带固定到与暴露小区的树脂层表面相反的树脂层的整个表面，其中进行切割步骤(f)。4.根据权利要求1的方法，其中，多个产品制作部分被纵向和横向排列在衬底上，且其中，借助于切片而进行切割步骤(f)。5.根据权利要求1的方法，其中，在半导体元件固定步骤(b)中，半导体元件通过所述绝缘粘合剂被固定，且其中，此后在清除预定厚度的衬底背面的步骤(e)中，绝缘粘合剂可以保留，且半导体元件的背面被绝缘粘合剂覆盖。6.根据权利要求5的方法，其中，在粘合剂与树脂层之间比在衬底与树脂层之间提供更强的键合力的材料，被用作绝缘粘合剂。7.根据权利要求5的方法，其中，绝缘粘合剂包括对半导体元件具有强键合力的有机树脂。8.根据权利要求5的方法，其中，膜状粘合片被固定到半导体元件背面，并被用作粘合剂。9.根据权利要求5的方法，其中，弹性模量低于衬底的材料被用作粘合剂。10.根据权利要求1的方法，其中，在形成产品制作部分的步骤(a)中，凹陷的深度和各个沟槽的深度被设定为彼此相等，其中，在去除预定厚度的衬底背面的步骤(e)中，以用来键合半导体元件的粘合剂被暴露的方式来进行去除，且其中，在步骤(f)之后进行切割步骤(f)。11.根据权利要求1的方法，其中，在形成产品制作部分的步骤(a)中，凹陷的深度和各个沟槽的深度被设定为彼此相等，其中，在去除预定厚度的衬底背面的步骤(e)中，以用来键合半导体元件的粘合剂被暴露的方式来进行所述去除，其中，在步骤(e)之后，作为步骤(i)，暴露的粘合剂被清除，使半导体元件的背面被暴露，且其中，然后进行切割步骤(f)。12.根据权利要求1的方法，其中，在形成产品制作部分的步骤(a)中，凹陷的深度被设定为浅于各个沟槽的深度，其中，在去除预定厚度的衬底背面的步骤(e)中，各个小区被彼此隔离并且电独立，且已经变得更薄的衬底部分可以通过粘合剂保留在半导体元件的连接侧上，且其中，然后进行切割步骤(f)。13.根据权利要求1的方法，其中，在真空吸住衬底背面以保持平坦的情况下，进行半导体元件固定步骤(b)、导电丝连接步骤(c)、以及树脂层形成步骤(d)。14.根据权利要求14的方法，其中，在步骤(d)中，用转移注模方法形成树脂层，从而树脂层具有恒定的厚度。15.根据权利要求1的方法，其中，在步骤(d)中，用填充方法来形成树脂层。16.根据权利要求15或权利要求16的方法，其中，用具有预定热膨胀系数的树脂来形成树脂层，以便在形成树脂层之后，衬底沿纵向的弯曲量和弯曲角大于衬底沿横向的弯曲量和弯曲角。17.根据权利要求1的方法，其中，用腐蚀方法来进行去除预定厚度的衬底背面的步骤(e)。18.根据权利要求17的方法，其中，作为腐蚀，以被腐蚀的部分处在位于各个小区之间的树脂层部分的表面内的方式进行过腐蚀。19.根据权利要求1的方法，其中，在步骤(e)中，用抛光方法来清除衬底的第二主表面。20.根据权利要求19的方法，其中，用接触变换抛光方法，利用几十米到几百米长的带式抛光机来进行抛光。21.根据权利要求1的方法，其中，在各个产品制作部分内，各个小区沿产品制作部分各边被排列成多行。22.根据权利要求21的方法，其中，各个小区的形状和尺寸相等。23.根据权利要求1的方法，其中，在半导体元件固定步骤(b)中，多个...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛贯好彦，
申请(专利权)人：株式会社瑞萨科技，瑞萨北日本半导体公司，
类型：发明
国别省市：