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一种制造半导体器件的方法,包含下列步骤: (a)提供衬底,此衬底包含:具有主表面和背面的金属片;多个产品制作部分;形成在各个产品制作部分中的金属片主表面上的凹陷和小区;以及形成在金属片主表面上以环绕小区的沟槽; (b)在步骤(a...该专利属于株式会社瑞萨科技、瑞萨北日本半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过株式会社瑞萨科技、瑞萨北日本半导体公司授权不得商用。
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一种制造半导体器件的方法,包含下列步骤: (a)提供衬底,此衬底包含:具有主表面和背面的金属片;多个产品制作部分;形成在各个产品制作部分中的金属片主表面上的凹陷和小区;以及形成在金属片主表面上以环绕小区的沟槽; (b)在步骤(a...