【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体封装的去闪光(deflash)技术，用于在半导体封装的制作工序中，通过树脂成型进行密封的工序之后，在进行电镀工序之前，对要电镀的部位预先除去闪光(flash)，尤其涉及为了除去作为难以进行去闪光处理的部位的引线框侧面形成的侧向闪光(side flash)，在侧向闪光中形成切割槽的半导体封装及其切割槽的形成方法，以及具有切割槽的半导体封装的去闪光方法。
技术介绍
通常，在现有半导体制作工序中，已知用于从半导体封装中除去闪光的去闪光方式有利用高压水流或介质等的去闪光方式和利用照射激光束的去闪光方式。如图1至图3所示，在半导体封装1的通过树脂成型进行的密封工序中，在密封部12周边的引线框10中一部分附着了异物的闪光3，当没有除去这些闪光时，不能进行下一个工序即电镀工序，因此，一般通过高压喷射的水流或其他介质等进行去闪光工序。图2示出了进行去闪光工序前的状态，图3示出了去闪光工序后的状态。但是，如图3所示，即使通过高压喷射的水流或介质等进行去闪光工序，从密封部12的一侧到引线部14的一侧附着的侧向闪光30仍会残留在角落部而不会干净地落下，这是去闪光...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在侧向闪光中具有切割槽的半导体封装，其特征在于，在半导体封装的制作工序中，通过树脂成型进行密封工序之后，在进行电镀工序之前，预先对电镀部位除去闪光的半导体封装中，上述密封工序之后，在同时附着在半导体封装的密封部和引线部上的、位于难除去的角落部的侧向闪光中，在位于邻接密封部的部位形成切割槽。2.一种在侧向闪光中形成切割槽的方法，其特征在于，在半导体封装的制作工序中，通过树脂成型进行密封工序之后，在进行电镀工序之前，预先对电镀部位除去闪光的半导体封装中，上述密封工序之后，在同时附着在半导体封装的密封部和引线部上的、位于难除去的角落部的侧向闪光中，在位于邻接密封部的部位通过激光束等照射介质形成切割槽，在输送半导体封装的状态下从固定上述照射介质的位置照射并形成上述切割槽。3.根据权利要求2所述的在侧向闪光中形成切割槽的方法，其特征在于，上述密...
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